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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:硅器件和材料
收藏年代
2000~2024
全部
2000
2001
2002
2009
2013
2014
2015
2017
2020
2021
2022
2023
2024
2000, vol.100, no.295
2000, vol.100, no.296
2000, vol.100, no.373
2000, vol.100, no.374
2000, vol.100, no.477
2000, vol.100, no.517
2000, vol.100, no.603
2000, vol.100, no.652
2000, vol.100, no.653
2000, vol.100, no.668
题名
作者
出版年
年卷期
X-ray mask delineation performances by advanced EB writer EB-X3
M. Ezaki; Y. Nakayama; Y. Kikuchi; S. Tsuboi; H. Watanabe; H. Aoyama; Y. Matsui; S. Ohki; T. Morosawa; S. Takahashi; M. Oda
2000
2000, vol.100, no.477
Line edge roughness of resist pattern in electron beam lithography
Masaki Yoshizawa; Shigeru Moriya
2000
2000, vol.100, no.477
A 70 nm high performance CMOS technology with 1.0 V operation
A. Ono; K. Fukasaku; T. Mastuda; T. Fukai; N. Ikezawa; K. Imai; T. Horiuchi
2000
2000, vol.100, no.477
Low resistivity TaNx/Ta/TaNx metal gate FDSOI-CMOS technology featuring low-temperature processing
Hiroyuki Shimada; Ichiro Ohshima; Shinichi Nkao; Munekatsu Nakagawa; Shigetoshi Sugawa; Tadahiro Ohmi
2000
2000, vol.100, no.477
Influence of nitrogen incorporation into ultrathin gate oxide for NBTI
N. Kimizuka; K. Imai; T. Iizuka; C. T. Liu; R. C. Keller; T. Horiuchi
2000
2000, vol.100, no.477
Two dimensional effect on the V{sub}th fluctuation of intrinsic-body SOI-MOSFET
Risho Koh; Kiyoshi Takeuchi; Hisashi Takemura; Tohru Mogami
2000
2000, vol.100, no.477
Impact of 0.18μm SOI CMOS technology using hybrid trench isolation with high resistivity substrate on embedded RF/analog applications
S. Maeda; Y. Wada; K. Yamamoto; H. Komurasaki; T. Matsumoto; Y. Hirano; T. Iwamatsu; Y. Yamaguchi; T. Ipposhi; K. Ueda; K. Mashiko; S. Maegawa; M. Inuishi
2000
2000, vol.100, no.477
Improvement of analog characteristics by epitaxial channel structure
T. Ohguro; R. Hasumi; M. Nishigori; H. Oyamatsu; F. Matsuoka; Y. Toyoshima
2000
2000, vol.100, no.477
A direct tunneling memory (DTM) utilizing novel floating gate structure
N. Horiguchi; T. Usuki; K. Goto; T. Futatsugi; T. Sugii; N. Yokoyama
2000
2000, vol.100, no.477
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