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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告:元件和材料
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2002, vol.102, no.434

题名作者出版年年卷期
MBE growth of Si{sub}0.75Ge{sub}0.25 alloy layers using (Si{sub}14/Ge{sub}1){sub}20 and (Si{sub}28/Ge{sub}2){sub}10 short-period superlatticesRahman M. Mizanur; Kentaro Kurumatani; Toyokazo Tambo; Chiei Tatsuyama20022002, vol.102, no.434
Application of Ta{sub}2O{sub}5 based composites as a gate dielectricK. M. A. Salam; Hisashi Fukuda; Shigeru Nomura20022002, vol.102, no.434