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期刊


ISSN0385-4221
刊名電気学会論文誌
参考译名电气学会论文集:C电子学、信息工程、系统部分
收藏年代1998~2024



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2006, vol.126, no.1 2006, vol.126, no.10 2006, vol.126, no.11 2006, vol.126, no.12 2006, vol.126, no.2 2006, vol.126, no.3
2006, vol.126, no.4 2006, vol.126, no.5 2006, vol.126, no.6 2006, vol.126, no.7 2006, vol.126, no.8 2006, vol.126, no.9

题名作者出版年年卷期
Enterprise Transformation - Implications for Enterprise Information SystemsWilliam B. Rouse20062006, vol.126, no.9
Integrated Native-Ethernet Optical Ring Networks for Scalable Customer-Owned ApplicationSatoru Fujimoto; Taiji Sakamoto; Osanori Koyama; Yutaka Katsuyama20062006, vol.126, no.9
Design of Iterative Learning Controllers for Linear Discrete System with Multiple Time DelaysHansheng Wu20062006, vol.126, no.9
Inverse LQ Regulator of Systems with Multiple Time-Varying DelaysTsuyoshi Matsuki; Tomohiro Kubo20062006, vol.126, no.9
Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si{sub}(1-x)Ge{sub}x(0≤x≤1)薄膜の低温形成菅野 裕士; 権丈 淳; 佐道 泰造; 宮尾 正信20062006, vol.126, no.9
BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース·ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET竹廣 忍; 櫻庭 政夫; 室田 淳一; 土屋 敏章20062006, vol.126, no.9
SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ酒井 朗; 田岡 紀之; 中塚 理; 小川 正毅; 財満 鎭明20062006, vol.126, no.9
4 層バッファを用いた高電流密度電子トンネル型SiGe RTD前川 裕隆; 佐野 嘉洋; 上野 千尋; 須田 良幸20062006, vol.126, no.9
ソフトウェア無線受信機用0.8-5.2GHz帯広帯域SiGe-MMIC 直交ミクサ村上 圭司; 末松 憲治; 堤 恒次; 金沢 学志; 関根 友嗣; 久保 博嗣; 礒田 陽次20062006, vol.126, no.9
SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生土屋 敏章; 櫻庭 政夫; 室田 淳一20062006, vol.126, no.9
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