中国机械工程学会生产工程分会知识服务平台
主页
文献资源
外文期刊
外文会议
中文期刊
专业机构
生产工程
智能制造
高级检索
关于我们
版权声明
使用帮助
期刊
ISSN
0368-7147
刊名
Квантовая электроника
参考译名
量子电子学
收藏年代
2000~2024
全部
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
2010
2011
2012
2013
2014
2015
2016
2017
2018
2019
2020
2021
2022
2023
2024
2019, vol.49, no.1
2019, vol.49, no.10
2019, vol.49, no.11
2019, vol.49, no.12
2019, vol.49, no.2
2019, vol.49, no.3
2019, vol.49, no.4
2019, vol.49, no.5
2019, vol.49, no.6
2019, vol.49, no.7
2019, vol.49, no.8
2019, vol.49, no.9
题名
作者
出版年
年卷期
Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
А. А. Мармалюк; А. В. Иванов; В. Д. Курносов; К. В. Курносов; М. А. Ладугин; А. В. Лобинцов; А. А. Падалица; В. И. Романцевич; Ю. Л. Рябоштан
2019
2019, vol.49, no.6
Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристики
Л. В. Асрян
2019
2019, vol.49, no.6
Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов
М. А. Ладугин; А. А. Мармалюк
2019
2019, vol.49, no.6
Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN
Е. В. Луценко; Н. В. Ржеуцкий; А. В. Нагорный; А. В. Данильчик; Д. В. Нечаев; В. Н. Жмерик; С. В. Иванов
2019
2019, vol.49, no.6
Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
Е. В. Луценко; Н. В. Ржеуцкий; А. Г. Войнилович; И. Е. Свитенков; А. В. Нагорный; В. А. Шуленкова; Г. П. Яблонский; А. Н. Алексеев; С. И. Петров
2019
2019, vol.49, no.6
Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
П. В. Середин; Д. Л. Голощапов; Д. С. Золотухин; А. С. Леныпин; А. М. Мизеров; И. Н. Арсентьев; Г. Ляйсте; М. Ринке
2019
2019, vol.49, no.6
Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSe
М. С. Леоненя; А. В. Нагорный; Б. Д. Урманов; В. А. Шуленкова; Г. П. Яблонский
2019
2019, vol.49, no.6
Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd_xHg_(1-x)Te, излучающих на длине волны 18 мкм
М. А. Фадеев; А. А. Дубинов; В. Я. Алешкин; В. В. Румянцев; В. В. Уточкин; В. И. Гавриленко; Ф. Теп; Х.-В.Хюберс; Н. Н. Михайлов
2019
2019, vol.49, no.6
Генерация разностной частоты в двухчастотном полупроводниковом дисковом лазере: модель с запаздывающей обратной связью
Ю. А. Морозов; М. И. Балакин; Л. А. Кочкуров; А. И. Конюхов; М. Ю. Морозов
2019
2019, vol.49, no.6
Активная область функционально-интегрированного лазера-модулятора
Е. А. Рындин; Б. Г. Коноплев
2019
2019, vol.49, no.6
1
2
国家科技图书文献中心
全球文献资源网
京ICP备05055788号-26
机械工业信息研究院 2018-2024