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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：元件和材料
收藏年代2000～2024



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2020, vol.120, no.145 2020, vol.120, no.217 2020, vol.120, no.255 2020, vol.120, no.284 2020, vol.120, no.408

题名作者出版年年卷期
光音響·発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部·外部量子効率推定森恵人; 高橋佑知; 坂井繁太; 森本悠也; 山口敦史; 草薙進; 蟹谷裕也; 工藤喜弘; 冨谷茂隆20202020, vol.120, no.255
InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性山口拓海; 有賀恭介; 森恵人; 山口敦史20202020, vol.120, no.255
AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出佐藤恒輔; 大森智也; 山田和輝; 田中隼也; 石塚彩花; 手良村昌平; 岩山章; 岩谷素顕; 三宅秀人; 竹内哲也; 上山智; 赤﨑勇20202020, vol.120, no.255
エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究中林泰希; 高田華果; 江川孝志; 三好実人; 竹内哲也20202020, vol.120, no.255
光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討山本暗介; Pradip Dalapati; 江川孝志; 三好実人20202020, vol.120, no.255
エレクトロルミネッセンス·フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価石井良太; 吉川陽; 永瀬和宏; 船戸充; 川上養一20202020, vol.120, no.255
選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET井上暁喜; 原田紘希; 山中瑞樹; 江川孝志; 三好実人20202020, vol.120, no.255
ALDにより成膜したSiO_2/Al_2O_3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価横井駿一; 久保俊晴; 江川孝志20202020, vol.120, no.255
界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの2次元評価: n形とp形の比較松田陵; 堀切文正; 成田好伸; 吉田丈洋; 福原昇; 三島友義; 塩島謙次20202020, vol.120, no.255
Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価川角優斗; 安井悠人; 柏木行康; 玉井聡行; 塩島謙次20202020, vol.120, no.255
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