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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2024



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2020, vol.120, no.126 2020, vol.120, no.205 2020, vol.120, no.239 2020, vol.120, no.273 2020, vol.120, no.352 2020, vol.120, no.359

题名作者出版年年卷期
［招待講演］3D冗長とWafer-on-Wafer（WOW）テクノロジを用いたBumpless-Build-Cube（BBCube）菅谷慎二; 中條徳男; 作井康司; 良尊弘幸; 中村友二; 大揚隆之20202020, vol.120, no.359
［招待講演］AI·IoT·ビックデータ時代の3次元集積実装技術の研究開発菊地克弥20202020, vol.120, no.359
［招待公演］材料開発のためのAIと、AIのための材料山道新太郎20202020, vol.120, no.359
［招待講演］1μmピッチCu-Cu接続に対する接合ずれの影響香川恵永; 上林拓海; 羽根田雅希; 藤井宣年; 古瀬駿介; 橋口日出登; 平野智之; 岩元勇人20202020, vol.120, no.359
TaN薄膜のバリア特性の限界久家俊洋; 矢作政隆; 小池淳一20202020, vol.120, no.359
Co-Zr合金の単層バリア材料としての特性山田裕貴; 矢作政隆; 小池淳一20202020, vol.120, no.359
［招待講演］サブ30nmピッチCuダマシン配線のためのRu選択成長メタル·キャッピングとウェハ表面状態の制御相澤宏一; 前川薫; Kai-Hung Yu; Gyana Pattanaik; Gert Leusink20202020, vol.120, no.359
［招待講演］チャネル薄膜化と（111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御隅田圭; トープラサートポンカシディット; 竹中充; 高木信一20202020, vol.120, no.352
［招待講演］プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価佐藤好弘; 山田隆善; 西村佳壽子; 山崎雅之; 村上雅史; 占部継一郎; 江利口浩二20202020, vol.120, no.352
［招待講演］InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製冨岡克広; 蒲生浩憲; 本久順一; 福井孝志20202020, vol.120, no.352
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