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期刊

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2020, vol.120, no.126

2020, vol.120, no.205

2020, vol.120, no.239

2020, vol.120, no.273

2020, vol.120, no.352

2020, vol.120, no.359

题名	作者	出版年	年卷期
ダイヤモンド半導体の現状	梅沢仁	2020	2020, vol.120, no.352
［招待講演］CMOS裏面埋設配線による電源供給網と電源容量の形成およびセキュリティ向け三次元積層チップへの応用	門田和樹; 園田大樹; 沖殿貴朗; 荒賀佑樹; 渡辺直也; 島本晴夫; 菊地克弥; 三浦典之; 三木拓司; 永田真	2020	2020, vol.120, no.352
［招待講演］InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製	冨岡克広; 蒲生浩憲; 本久順一; 福井孝志	2020	2020, vol.120, no.352
［招待講演］プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価	佐藤好弘; 山田隆善; 西村佳壽子; 山崎雅之; 村上雅史; 占部継一郎; 江利口浩二	2020	2020, vol.120, no.352
［招待講演］チャネル薄膜化と（111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御	隅田圭; トープラサートポンカシディット; 竹中充; 高木信一	2020	2020, vol.120, no.352