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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:硅器件和材料
收藏年代
2000~2024
全部
2000
2001
2002
2009
2013
2014
2015
2017
2020
2021
2022
2023
2024
2021, vol.121, no.138
2021, vol.121, no.212
2021, vol.121, no.235
2021, vol.121, no.365
2021, vol.121, no.366
2021, vol.121, no.46
2021, vol.121, no.71
2021, vol.121, no.8
题名
作者
出版年
年卷期
A study on Ar/N_2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaB_xN_y insulator formation for floating-gate memory applications
Eun-Ki HONG; Shun-ichiro OHMI
2021
2021, vol.121, no.212
A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO_2 and HfON tunneling layer for multi-bit/cell operation
Jooyoung PYO; Akio Ihara; Shun-ichiro OHMI
2021
2021, vol.121, no.212
[招待講演]シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違
二谷祐一郎
2021
2021, vol.121, no.212
スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価
今泉文伸
2021
2021, vol.121, no.212
界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO_2薄膜形成に関する検討
田沼将一; Joong-Won Shin; 大見俊一郎
2021
2021, vol.121, no.212
TMRセンサの高感度化と生体計測への応用
大兼幹彦
2021
2021, vol.121, no.212
電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測
齊藤宏河; 鈴木勇人; 朴賢雨; 黒田理人; 寺本章伸; 諏訪智之; 須川成利
2021
2021, vol.121, no.212
トランジスタ構造·動作領域·キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析
秋元暸; 黒田理人; 間脇武蔵; 須川成利
2021
2021, vol.121, no.212
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