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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2024



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2022, vol.122, no.148 2022, vol.122, no.215 2022, vol.122, no.247 2022, vol.122, no.375 2022, vol.122, no.377 2022, vol.122, no.54
2022, vol.122, no.8 2022, vol.122, no.84

题名作者出版年年卷期
Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御酒井大希; 松下圭吾; 大田晃生; 田岡紀之; 牧原克典; 宮﨑誠一20222022, vol.122, no.84
SiO_2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態·結晶相制御木村圭佑; 田岡紀之; 西村駿介; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一20222022, vol.122, no.84
[招待講演]WSe_2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ川那子高暢; 松﨑貴広; 梶川亮介; 宗田伊理也; 星井拓也; 角嶋邦之; 筒井一生; 若林整20222022, vol.122, no.84
遷移金属カルコゲン化合物へテロ構造体の電子物性丸山実那20222022, vol.122, no.84
[依頼講演]TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索小椋厚志; 横川凌; 若林整20222022, vol.122, no.84
オペランド·ナノX線分光を活用した次世代高周波デバイス研究吹留博一20222022, vol.122, no.84
金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響安田航; 田岡紀之; 大田晃生; 牧原克典; 宮﨑誠一20222022, vol.122, no.84
多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe_(1-x)Sn_xナノドットの自己形成橋本薫; 柴山茂久; 安坂幸師; 中塚理20222022, vol.122, no.84
[招待講演]酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性柴山茂久; 土井拓馬; 坂下満男; 田岡紀之; 清水三聡; 中塚理20222022, vol.122, no.84
[招待講演]固相結晶化In_2O_3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化（> 100cm~2V~(-1)s~(-1)）曲勇作; 片岡大樹; 葉文昌; 古田守20222022, vol.122, no.8
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