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2022, vol.122, no.148	2022, vol.122, no.215	2022, vol.122, no.247	2022, vol.122, no.375	2022, vol.122, no.377	2022, vol.122, no.54
2022, vol.122, no.8	2022, vol.122, no.84

题名	作者	出版年	年卷期
25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance>10~7 for eFlash-type MRAM	H HONJOI; K NISHIOKA; S MIURA; H NAGANUMA; T WATANABE; T NASUNO; T TANIGAWA; Y NOGUCHI; H INOUE; M YASUHIRA; S IKEDA; T ENDOH	2022	2022, vol.122, no.375
セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発	張文馨; 余心仁; 洪子杰; 李耀仁; 趙天生; 王永和; 前田辰郎	2022	2022, vol.122, no.375
[招待講演]高耐圧CAAC-IGZOFETと0.06μm~2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM	大嶋和晃; 遠藤正巳; 沼田至優; 恵木勇司; 井坂史人; 大野敏和; 手塚祐朗; 濱田俊樹; 古谷一馬; 津田一樹; 松嵜隆徳; 大貫達也; 村川努; 國武寛司; 小林正治; 山﨑舜平	2022	2022, vol.122, no.375
[招待講演]R_(on)Aと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造	朝羽俊介; 古川大; 楠本雄司; 飯島良介; 河野洋志	2022	2022, vol.122, no.375
[招待講演]Ge_2Sb_2Te_3S_2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ	宮武悠人; 牧野孝太郎; 富永淳二; 宮田典幸; 中野隆志; 岡野誠; トープラサートポンカシディット; 高木信一; 竹中充	2022	2022, vol.122, no.375
未来のテラへルツ応用に向けた共鳴トンネルダイオード技術	鈴木左文	2022	2022, vol.122, no.375