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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：元件和材料
收藏年代2000～2024



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2023, vol.123, no.142 2023, vol.123, no.160 2023, vol.123, no.230 2023, vol.123, no.289 2023, vol.123, no.301 2023, vol.123, no.395
2023, vol.123, no.42

题名作者出版年年卷期
単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価川出智之; 米谷宜展; 田中さくら; 江川孝志; 三好実人20232023, vol.123, no.289
四元混晶AlGaINエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製滝本将也; 間瀬晃; 小嶋智輝; 江川孝志; 三好実人20232023, vol.123, no.289
ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果久保俊晴; 江川孝志20232023, vol.123, no.289
ALD-Al_2O_3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術尾崎史朗; 熊崎祐介; 岡本直哉; 中舍安宏; 多木俊裕; 原直紀20232023, vol.123, no.289
電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価吉村遥翔; 今林弘毅; 堀切文正; 成田好伸; 藤倉序章; 太田博; 三島友義; 塩島謙次20232023, vol.123, no.289
Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題伊藤佑太; 渡邉浩崇; 出来真斗; 新田州吾; 田中敦之; 本田善央; 天野浩20232023, vol.123, no.289
MOVPEを用いた（0001）面上への低炭素GaNの成長渡邉浩崇; 新田州吾; 藤元直樹; 川崎晟也; 隈部岳瑠; 大西一生; 本田善央; 天野浩20232023, vol.123, no.289
自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製宮脇啓嘉; 松田祥伸; 船戸充; 川上養一20232023, vol.123, no.289
半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ福重翔吾; 松田祥伸; 船戸充; 川上養一20232023, vol.123, no.289
光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価藤澤孝博; Hu Nan; 小嶋智輝; 江川孝志; 三好実人20232023, vol.123, no.289
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