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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2024



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2023, vol.123, no.143 2023, vol.123, no.211 2023, vol.123, no.250 2023, vol.123, no.375 2023, vol.123, no.385 2023, vol.123, no.43
2023, vol.123, no.8 2023, vol.123, no.89

题名作者出版年年卷期
[招待講演]加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察: 多結晶Siチャネル高性能化に向けて手面学; 浅野孝典; 高石理一郎; 富田充裕; 齋藤真澄; 田中洋毅20232023, vol.123, no.89
結晶相転移接合トランジスタの実証冨岡克広; 勝見悠; 本久順一20232023, vol.123, no.89
【依頼講演】オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓藤原弘和; 糸矢祐喜; 小林正治; Cedric Bareille; 辛埴; 谷内敏之20232023, vol.123, no.89
熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価佐野友之輔; 田岡紀之; 牧原克典; 大田晃生; 宮崎誠一20232023, vol.123, no.89
FeナノドットへのSiH_4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響斎藤陽斗; 牧原克典; 谷田験; 田岡紀之; 宮崎誠一20232023, vol.123, no.89
自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO_2/SiC界面特性の評価奥平諒; 川那子高暢; 細井卓治20232023, vol.123, no.89
[記念講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響岡博史; 稲葉工; 飯塚将太; 浅井栄大; 加藤公彦; 森貴洋20232023, vol.123, no.89
[記念講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計隅田圭; 姜旼秀; 陳家驄; トープラサートポンカシデイット; 竹中充; 高木信一20232023, vol.123, no.89
プラズマプロセス中のウェハ温度の非接触測定に向けた計測システムの開発後藤隆之介; 堀内憲志郎; Jiawen Yu; 花房宏明; 東清一郎20232023, vol.123, no.8
[招待講演]ガラス基板上のダブルゲート薄膜トランジスタ原明人; 野村海成; 永吉輝央; 新田誠英; 鈴木翔; 伊藤悠人20232023, vol.123, no.8
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