中国机械工程学会生产工程分会知识服务平台

期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2024



全部

2000 2001 2002 2009 2013 2014
2015 2017 2020 2021 2022 2023
2024

2023, vol.123, no.143 2023, vol.123, no.211 2023, vol.123, no.250 2023, vol.123, no.375 2023, vol.123, no.385 2023, vol.123, no.43
2023, vol.123, no.8 2023, vol.123, no.89

题名作者出版年年卷期
Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETsDibo ZHANG; Kohei HORII; Katsuhiro HATA; Makoto TAKAMIYA20232023, vol.123, no.143
Gate Driver IC with Fully Integrated Overcurrent Protection Function by Measuring Gate-to-Emitter VoltageHaifeng Zhang; Dibo Zhang; Hiromu Yamasaki; Katsuhiro Hata; Keiji Wada; Kan Akatsu; Ichiro Omura; Makoto Takamiya20232023, vol.123, no.143
[招待講演]最先端CMOSプロセスを適用した小型高分解能サイクリックA/D変換器の開発大島俊; 山本敬亮; 小野豪一20232023, vol.123, no.143
量子デバイスの環境モニタリングに向けた極低温AD変換器の検討山田友弥; 高橋亮蔵; 三木拓司; 永田真20232023, vol.123, no.143
量子コンピュータ向けフリップチップシリコンインターポーザの極低温評価田口美里; 高橋亮蔵; 加藤薫子; 楠野順弘; 三木拓司; 永田真20232023, vol.123, no.143
低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大: 43年間の半導体研究を振り返って石橋孝一郎20232023, vol.123, no.143
低消費電力センサと無線技術の研究動向道正志郎; 石原昇; 伊藤浩之20232023, vol.123, no.143
[招待講演]短チャネルバルクMOSFETの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源稲葉工; 岡博史; 浅井栄大; 更田裕司; 飯塚将太; 加藤公彦; 下方駿佑; 福田浩一; 森貴洋20232023, vol.123, no.143
高圧水素アニールによるSi(110)面n-MOSFETの極低温特性改善下方駿佑; 岡博史; 稲葉工; 飯塚将太; 加藤公彦; 森貴洋20232023, vol.123, no.143
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析李龍聖; 森貴之; 岡博史; 森貴洋; 井田次郎20232023, vol.123, no.143
12



国家科技图书文献中心  全球文献资源网  京ICP备05055788号-26  京公网安备11010202008970号  机械工业信息研究院 2018-2024