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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2024



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2023, vol.123, no.143 2023, vol.123, no.211 2023, vol.123, no.250 2023, vol.123, no.375 2023, vol.123, no.385 2023, vol.123, no.43
2023, vol.123, no.8 2023, vol.123, no.89

题名作者出版年年卷期
[招待講演]SISPAD 2023レビュー田中一20232023, vol.123, no.250
最先端ロジックデバイスの最新動向とプロセス技術山本知成20232023, vol.123, no.250
[招待講演]半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析岡田丈; 田中一; 森伸也20232023, vol.123, no.250
超伝導量子コンピュータの現状と課題阿部英介20232023, vol.123, no.250
シリコン量子ビットの大規模集積化に向けた量子デバイスシミュレータの開発浅井栄大; 飯塚将太; 最上徹; 服部淳一; 福田浩一; 池上努; 加藤公彦; 岡博史; 森貴洋20232023, vol.123, no.250
[招待講演]強束縛近似法と有限差分時間領域法を用いたグラフェン表面プラズモン伝搬のシミュレーション相馬聡文; 扇澤祥太20232023, vol.123, no.250
[招待講演]キャリアの捕獲·励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション橋本風渡; 鈴木刀真; 三成英樹; 中崎暢也; 小町潤; 佐野伸行20232023, vol.123, no.250
高精度デバイスモデリング手法の検討: ニューラルネットワークと線形回帰の比較中田賢吾; 森貴之; 井田次郎20232023, vol.123, no.250
[招待講演]GaNの高電界物性の精密評価: 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界前田拓也20232023, vol.123, no.250
[招待講演]計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態·キャリア伝導特性解析小野倫也20232023, vol.123, no.250



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