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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2024



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2023, vol.123, no.143 2023, vol.123, no.211 2023, vol.123, no.250 2023, vol.123, no.375 2023, vol.123, no.385 2023, vol.123, no.43
2023, vol.123, no.8 2023, vol.123, no.89

题名作者出版年年卷期
[招待講演]mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割岡博史; 浅井栄大; 稲葉工; 下方駿佑; 由井斉; 更田裕司; 飯塚将太; 加藤公彦; 中山隆史; 森貴洋20232023, vol.123, no.375
[招待講演]プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御伊藤健治; 成田哲生; 井口紘子; 岩崎四郎; 菊田大悟; 狩野絵美; 五十嵐信行; 冨田一義; 堀田昌宏; 須田淳20232023, vol.123, no.375
3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array（CBA）技術田上政由20232023, vol.123, no.375
[招待講演]CBA（CMOS Directly Bonded to Array）技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps·プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ小林茂樹; 田代健二; 峯村洋一; 中上恒平; 有田幸司; 大橋貴志; 舟山幸太; 酒井久弥; 虫賀満輝; 岡部堅一; 菅野善宏; 清水悟; 藤倉栄一; 中江彰宏; 山口謙介; 山脇秀之; 中嶋一明; 佐藤充20232023, vol.123, no.375
チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善鈴木都文; 佐久間究; 吉村瑶子; 市原玲華; 松尾和展; 萩島大輔; 藤原実; 齋藤真澄20232023, vol.123, no.375
3次元構造強誘電体キャパシタを有する低電圧かつ高信頼性1T1C型FeRAM: IEDM2023報告内容奥野潤; 国広恭史; 周藤悠介; 米内飛翔; 小野凌; Ruben Alcala; Maximilian Lederer; Konrad Seidel; Thomas Mikolajick; Uwe Schroeder; 梅林拓20232023, vol.123, no.375
[招待講演]HfZrO_2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング高木信一; トープラサートポンカシディット; 名幸瑛心; 鈴木陸央; 閔信義; 竹中充; 中根了昌20232023, vol.123, no.375



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