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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2024



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2023, vol.123, no.143 2023, vol.123, no.211 2023, vol.123, no.250 2023, vol.123, no.375 2023, vol.123, no.385 2023, vol.123, no.43
2023, vol.123, no.8 2023, vol.123, no.89

题名作者出版年年卷期
AlN film by reactive sputtering as a stressor for Ge photonic devices on SiJose A. Piedra-Lorenzana; Shohei KANEKO; Takaaki FUKUSHIMA; Keisuke YAMANE; Junichi FUJIKATA; Yasuhiko ISHIKAWA20232023, vol.123, no.43
[招待講演]フレキシブル基板上に室温成膜した酸化亜鉛薄膜の繰返し曲げ耐久試験前元利彦; 大浦紀頼; 和田英男; 小山政俊; 佐々誠彦; 藤井彰彦20232023, vol.123, no.43
自己発電型生体センサのためのZnOナノロッドを用いたフレキシブル熱電材料の開発池田浩也; 藤原直樹; 加藤晃基; 下村勝; 早川泰弘; 山川俊貴; 池田和司20232023, vol.123, no.43
近赤外自由電子レーザ照射によってシリコン基板上に形成された微細周期構造（LIPSS）星野陽太; 野平真義; 岩田展幸20232023, vol.123, no.43
粘菌型最適化を用いた4脚自律ロボットにおける動作制約と歩行行動の関係松田一希; 葛西誠也20232023, vol.123, no.43
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価加藤一朗; 久保俊睛; 三好実人; 江川孝志20232023, vol.123, no.43
Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル緩衝層の効果古家聖輝; 葛谷樹矢; Jose A. Piedra-Lorenzana; 飛沢健; 山根啓輔; 石川靖彦20232023, vol.123, no.43
n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価髙津海; 久保広太; 佐藤威友20232023, vol.123, no.43
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの集積化に向けた素子分離技術の検討赤松龍弥; 秋良芳樹; 岡田浩20232023, vol.123, no.43



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