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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2024



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2023, vol.123, no.143 2023, vol.123, no.211 2023, vol.123, no.250 2023, vol.123, no.375 2023, vol.123, no.385 2023, vol.123, no.43
2023, vol.123, no.8 2023, vol.123, no.89

题名作者出版年年卷期
[記念講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計隅田圭; 姜旼秀; 陳家驄; トープラサートポンカシデイット; 竹中充; 高木信一20232023, vol.123, no.89
[記念講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響岡博史; 稲葉工; 飯塚将太; 浅井栄大; 加藤公彦; 森貴洋20232023, vol.123, no.89
自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO_2/SiC界面特性の評価奥平諒; 川那子高暢; 細井卓治20232023, vol.123, no.89
FeナノドットへのSiH_4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響斎藤陽斗; 牧原克典; 谷田験; 田岡紀之; 宮崎誠一20232023, vol.123, no.89
熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価佐野友之輔; 田岡紀之; 牧原克典; 大田晃生; 宮崎誠一20232023, vol.123, no.89
【依頼講演】オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓藤原弘和; 糸矢祐喜; 小林正治; Cedric Bareille; 辛埴; 谷内敏之20232023, vol.123, no.89
結晶相転移接合トランジスタの実証冨岡克広; 勝見悠; 本久順一20232023, vol.123, no.89
[招待講演]加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察: 多結晶Siチャネル高性能化に向けて手面学; 浅野孝典; 高石理一郎; 富田充裕; 齋藤真澄; 田中洋毅20232023, vol.123, no.89



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