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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告:硅器件和材料
收藏年代2000~2024



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2024, vol.124, no.145 2024, vol.124, no.222 2024, vol.124, no.242 2024, vol.124, no.45 2024, vol.124, no.7 2024, vol.124, no.87

题名作者出版年年卷期
Investigation of post-metallization annealing condition on the ferroelectric HfN_(1.15) thin film formationKangbai Li; Shun-ichiro OHMI20242024, vol.124, no.222
Inhibitorを用いたメタル配線構造への絶縁膜選択成長池進一; 河野有美子; 東雲秀司; 柏木勇作20242024, vol.124, no.222
UVナノインプリントリソグラフィの欠陥低減: 高速充填雰囲気ガスプロセスの開発伊藤俊樹20242024, vol.124, no.222
高速·高SNR吸光イメージングシステムによる真空チャンバ内のガス濃度分布計測および解析酒井勇志; 稲田貴郁; 間脇武蔵; 諏訪智之; 森本達郎; 白井泰雪; 須川成利; 黒田理人20242024, vol.124, no.222
[招待講演]窒化物半導体集積回路の作製プロセスの検討岡田浩20242024, vol.124, no.222
[招待講演]絶縁膜上における多結晶半導体薄膜の高品位形成橋本隆; 梶原隆司; 茂藤健太; 山本圭介; 岡田竜弥; 野口隆; 佐道泰造20242024, vol.124, no.222
二段階成膜法を用いた強誘電性HfN_xのSi(100)基板上への形成に関する検討濵田海夢; Li Kangbai; 大見俊一郎20242024, vol.124, no.222
RFスパッタリングを用いて形成したサファイア基板上Ga_2O_3薄膜の面方位依存性森田拓海; 今泉文伸20242024, vol.124, no.222
インピーダンス計測プラットフォームを用いたSiトレンチキャパシタの統計的容量計測西牧良弥; 齊藤宏河; 間脇武蔵; 黒田理人20242024, vol.124, no.222
三次元集積デバイスの統計的容量·電流特性計測に向けたインピーダンス計測プラットフォーム齊藤宏河; 西牧良弥; 間脇武蔵; 黒田理人20242024, vol.124, no.222