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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2009, vol.109, no.360 2009, vol.109, no.422 2009, vol.109, no.81 2009, vol.109, no.97

题名作者出版年年卷期
Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration MethodGovindasamy RAJESH; Hisashi MORII; Toru AOKI; Tadanobu KOYAMA; Yoshimi MOMOSE; Akira TANAKA; Tetsuo OZAWA; Yuko INATOMI; Yasuhiro HAYAKAWA20092009, vol.109, no.23
Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPEMouleeswaran Deivasigamani; Tadanobu Koyama; Yasuhiro Hayakawa20092009, vol.109, no.23
Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO_2 SubstratesAkihiko HIROE; Tetsuya GOTO; Akinobu TERAMOTO; Tadahiro OHMI20092009, vol.109, no.23
A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell ApplicationsM. Abdel Haleem; M. Ichimura20092009, vol.109, no.23
RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性伊藤達也; 遠藤立弥; 以西雅章; 境哲也; 星陽一20092009, vol.109, no.23
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長馬ベイ; 宮川鈴衣奈; 胡衛国; 三宅秀人; 平松和政20092009, vol.109, no.23
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性浦上法之; 野間亮佑; 梅野和行; 光吉三郎; 岡田浩; 古川雄三; 若原昭浩20092009, vol.109, no.23
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価以西雅章; 倉地雄史; 山田典史; 武内俊憲; 宝珍敬志20092009, vol.109, no.23
GaNの電気化学酸化による表面制御原田脩央; 塩崎奈々子; 橋詰保20092009, vol.109, no.23
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用光吉三郎; 梅野和行; 浦上法之; 岡田浩; 古川雄三; 若原昭浩20092009, vol.109, no.23
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