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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2010, vol.110, no.109 2010, vol.110, no.11 2010, vol.110, no.203 2010, vol.110, no.249 2010, vol.110, no.271 2010, vol.110, no.29
2010, vol.110, no.342 2010, vol.110, no.358 2010, vol.110, no.423 2010, vol.110, no.80

题名作者出版年年卷期
メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価青木秀充; 原誠; 増住拓朗; 呂志明; 九鬼知博; 木村千春; 杉野隆20102010, vol.110, no.80
ウェットプロセスによるメタルゲートの光コロージョン渡邊大祐; 木村千春; 青木秀充20102010, vol.110, no.80
欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去高橋昌男; 東裕子; 成田比呂晃; 岩佐仁雄; 小林光20102010, vol.110, no.80
低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化廣瀬文彦; 佐野裕紀; 都築暁; 鈴木貴彦20102010, vol.110, no.80
微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析板垣陽介; 浅川澄人; 新屋秀秋; 斉藤光史; 須原理彦20102010, vol.110, no.80
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析本間嵩広; 渡邉久巨; 原紳介; 藤代博記20102010, vol.110, no.80
トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響大野雄高; 森山直希; 北村隆光; 鈴木耕佑; 岸本茂; 水谷孝20102010, vol.110, no.80
AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈水江千帆子; 橋詰保20102010, vol.110, no.80
AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響東脇正高; Srabanti Chowdhury; Brian L. Swenson; Umesh K. Mishra20102010, vol.110, no.80
高周波·高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製山下良美; 渡邊一世; 遠藤聡; 広瀬信光; 松井敏明; 三村高志20102010, vol.110, no.80
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