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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2010, vol.110, no.109 2010, vol.110, no.11 2010, vol.110, no.203 2010, vol.110, no.249 2010, vol.110, no.271 2010, vol.110, no.29
2010, vol.110, no.342 2010, vol.110, no.358 2010, vol.110, no.423 2010, vol.110, no.80

题名作者出版年年卷期
InSb単分子層を介したV溝加工したSi（001）基板上へのInSb薄膜の成長岩杉達矢; カマセ サラ; 角田梓; 中谷公彦; 森雅之; 前澤宏一20102010, vol.110, no.80
フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価滝田隼人; 橋本紀彦; 工藤昌宏; 赤堀誠志; 鈴木寿一20102010, vol.110, no.80
電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用佐藤威友; 吉澤直樹; 岡崎拓行; 橋詰保20102010, vol.110, no.80
AlGaN/GaNへテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析鈴木寿一; 田中成明20102010, vol.110, no.80
リセスゲートAlGaN/GaNへテロ接合FETの電気的特性評価向野美郷; 山田直樹; 徳田博邦; 葛原正明20102010, vol.110, no.80
高周波·高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製山下良美; 渡邊一世; 遠藤聡; 広瀬信光; 松井敏明; 三村高志20102010, vol.110, no.80
AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響東脇正高; Srabanti Chowdhury; Brian L. Swenson; Umesh K. Mishra20102010, vol.110, no.80
AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈水江千帆子; 橋詰保20102010, vol.110, no.80
トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響大野雄高; 森山直希; 北村隆光; 鈴木耕佑; 岸本茂; 水谷孝20102010, vol.110, no.80
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析本間嵩広; 渡邉久巨; 原紳介; 藤代博記20102010, vol.110, no.80
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