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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2009, vol.109, no.157 2009, vol.109, no.16 2009, vol.109, no.23 2009, vol.109, no.230 2009, vol.109, no.288 2009, vol.109, no.313
2009, vol.109, no.360 2009, vol.109, no.422 2009, vol.109, no.81 2009, vol.109, no.97

题名作者出版年年卷期
GaN Photodetector with Nanostructure on SurfaceJing ZHANG; Yoshiki NAOI; Shiro SAKAI; Atsuyuki FUKANO; Satoru TANAKA20092009, vol.109, no.288
近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング橋谷享; 金田昭男; 船戸充; 川上養一20092009, vol.109, no.288
ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的·光学的異方性小林篤; 下元一馬; 上野耕平; 梶間智文; 太田実雄; 藤岡洋; 尾嶋正治20092009, vol.109, no.288
半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定金田昭男; 上田雅也; 船戸充; 川上養一20092009, vol.109, no.288
AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構尾沼猛儀; 羽豆耕治; 宗田孝之; 上殿明良; 秩父重英20092009, vol.109, no.288
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長原航平; 直井美貴; 酒井士郎20092009, vol.109, no.288
HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製佐々木斉; 後藤裕輝; 碓井彰20092009, vol.109, no.288
InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて－発光素子から太陽電池への展開草部一秀; 石谷善博; 吉川明彦20092009, vol.109, no.288
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化永田賢吾; 市川友紀; 竹田健一郎; 永松謙太郎; 岩谷素顕; 上山智; 天野浩; 赤﨑勇20092009, vol.109, no.288
AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード吉田治正; 桑原正和; 山下陽滋; 高木康文; 内山和也; 菅博文20092009, vol.109, no.288
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