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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2015, vol.115, no.156 2015, vol.115, no.170 2015, vol.115, no.264 2015, vol.115, no.329 2015, vol.115, no.387 2015, vol.115, no.402
2015, vol.115, no.469 2015, vol.115, no.5 2015, vol.115, no.63

题名作者出版年年卷期
In-plane electrical properties of MnAs/InAs/GaAs(111)B heterostructuresEarul Islam; Cong Thanh Nguyen; Masashi Akabori20152015, vol.115, no.156
N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価青木俊周; 谷川智之; 片山竜二; 松岡隆志; 塩島謙次20152015, vol.115, no.156
AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ鈴木寿一; S. P. Le; T. Q. Nguyen; H.-A. Shih20152015, vol.115, no.156
X線光電子分光法によるSiO_2/β-Ga_2O_3界面のバンドアライメント評価小西敬太; 上村崇史; ワンマンホイ; 佐々木公平; 倉又朗人; 山腰茂伸; 東脇正高20152015, vol.115, no.156
SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性矢野裕司; 結城広登; 冬木隆20152015, vol.115, no.156
有機強誘電体を用いたMFS型ダイヤモンドFETの形成柄谷涼太; 古市浩幹; 中嶋宇史; 徳田規夫; 川江健20152015, vol.115, no.156
再成長ソース·ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス木下治紀; 祢津誠晃; 三嶋裕一; 金澤徹; 宮本恭幸20152015, vol.115, no.156
AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性竹鶴達哉; 藤川紗千恵; 原田義彬; 鈴木浩基; 磯野恭佑; 加藤三四郎; 辻大介; 藤代博記20152015, vol.115, no.156
共鳴トンネル素子を用いた△∑型歪みセンサ前澤宏一; 角谷祐一郎; 中山大周; 田近拓巳; 森雅之20152015, vol.115, no.156
n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価永縄萌; 青木俊周; 三島友義; 塩島謙次20152015, vol.115, no.156
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