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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2015, vol.115, no.156 2015, vol.115, no.170 2015, vol.115, no.264 2015, vol.115, no.329 2015, vol.115, no.387 2015, vol.115, no.402
2015, vol.115, no.469 2015, vol.115, no.5 2015, vol.115, no.63

题名作者出版年年卷期
Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen sourceP. Pungboon PANSILA; Kensaku KANOMATA; Bashir AHMMAD; Shigeru KUBOTA; Fumihiko HIROSE20152015, vol.115, no.329
スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価野中翔一郎; 古川昭雄; 牧田紀久夫; 水野英範; 菅谷武芳; 仁木栄20152015, vol.115, no.329
GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果柴麗; 梁剣波; 重用直輝20152015, vol.115, no.329
表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性林朋宏; 梁剣波; 新井学; 重川直輝20152015, vol.115, no.329
AlN／Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長安井大貴; 三宅秀人; 平松和政; 岩谷素顕; 赤崎勇; 天野浩20152015, vol.115, no.329
RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-（AlGa）_2O_3上AlGaN形成に関する検討荒木努; 武馬輝; 増田直; 名西憓之; 織田真也; 人羅俊実20152015, vol.115, no.329
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的·光学的特性小島一信; 塚田悠介; 古川えりか; 斉藤真; 三川豊; 久保秀一; 池田宏隆; 藤戸健史; 上殿明良; 秩父重英20152015, vol.115, no.329
ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析堀田昌宏; 高島信也; 田中亮; 松山秀昭; 上野勝典; 江戸雅晴; 須田淳20152015, vol.115, no.329
ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価澤田直暉; 成田哲生; 加地徹; 上杉勉; 堀田昌宏; 須田淳20152015, vol.115, no.329
ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性前田拓也; 岡田政也; 山本喜之; 上野昌紀; 堀田昌宏; 須田淳20152015, vol.115, no.329
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