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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

关联期刊参考译名收藏年代
電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2015, vol.115, no.156 2015, vol.115, no.170 2015, vol.115, no.264 2015, vol.115, no.329 2015, vol.115, no.387 2015, vol.115, no.402
2015, vol.115, no.469 2015, vol.115, no.5 2015, vol.115, no.63

题名作者出版年年卷期
酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術東脇正高; ワンマンホイ; 小西敬太; 佐々木公平; 後藤健; 野村一城; ティユクァントゥ; 富樫理恵; 村上尚; 熊谷義直; モネマーボ; 纐纈明伯; 倉又朗人; 増井建和; 山腰茂伸20152015, vol.115, no.402
依頼講演：SiC基板の評価技術とデバイス特性北畠真20152015, vol.115, no.402
GANパワーデバイスの特長とそれを活かす技術中原健; 近松健太郎; 山口敦司; 黒田尚孝20152015, vol.115, no.402
等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算－大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討大石敏之; 嘉数誠20152015, vol.115, no.402
GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送大野泰夫20152015, vol.115, no.402
テラヘルツIC用InP HEMTの高f_(max)化高橋剛; 川野陽一; 牧山剛三; 芝祥一; 中舍安宏; 原直紀20152015, vol.115, no.402
GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析渡辺伸介; 今井翔平; 桑田英悟; 小山英寿; 加茂宣卓; 山本佳嗣20152015, vol.115, no.402
高周波用GaN-HEMTの開発川合貴久20152015, vol.115, no.402
3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現濱田憲治; 日野史郎; 三浦成久; 渡邊寛; 中田修平; 末川英介; 海老池勇史; 今泉昌之; 梅嵜勲; 山川聡20152015, vol.115, no.402



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