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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2016, vol.116, no.431 2016, vol.116, no.443 2016, vol.116, no.471 2016, vol.116, no.48

题名作者出版年年卷期
Ga_2O_3 上に堆積した SiO_2 膜におけるポストアニールの影響小西敬太; 上村崇史; ワンマンホイ; 佐々木公平; 倉又朗人; 山腰茂伸; 東脇正高20162016, vol.116, no.158
水蒸気を用いた表面酸化制御 InAlN/GaN MOS-HEMT尾崎史朗; 牧山剛三; 多木俊裕; 鎌田陽一; 佐藤優; 新井田佳孝; 岡本直哉; 常信和清20162016, vol.116, no.158
p-Cu_2O／AlO_x/n-SiC/n-Si構造の不揮発性 pn メモリダイオードと低電圧動作土屋充沙; 塚本貴広; 須田良幸20162016, vol.116, no.158
Ge（111）基板上への InSb 薄膜のエピタキシャル成長三枝孝彰; 森雅之; 前澤宏一20162016, vol.116, no.158
非線形メタマテリアル線路における共鳴相互作用楢原浩一20162016, vol.116, no.158
高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型 Si_(1-x)Ge_x/Si系 2 重量子井戸共鳴トンネルダイオード新川綾佳; 脇谷実; 前田裕貴; 塚本貴広; 須田良幸20162016, vol.116, no.158
CaF_2／Si／CaF_2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性田辺直之; 島中智史; 須田慶太; 渡辺正裕20162016, vol.116, no.158
円偏波放射が可能なラジアルラインスロットアンテナ集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器堀川大輔; 鈴木左文; 浅田雅洋20162016, vol.116, no.158
半導体メサ集積レクテナのテラヘルツ帯検波特性の解析徳岡岳海; 須原理彦20162016, vol.116, no.158
AlTiO/AlGaN/GaN 金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ鈴木寿一; S. P. Le; 宇井利昌; T. Q. Nguyen; H. A. Shih20162016, vol.116, no.158



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