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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2016, vol.116, no.14 2016, vol.116, no.158 2016, vol.116, no.181 2016, vol.116, no.268 2016, vol.116, no.356 2016, vol.116, no.375
2016, vol.116, no.431 2016, vol.116, no.443 2016, vol.116, no.471 2016, vol.116, no.48

题名作者出版年年卷期
シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2）嶋脇秀隆; 長尾昌善; 根尾陽一郎; 三村秀典; 若家富士男; 高井幹夫20162016, vol.116, no.268
トリウム被覆されたW電界放射陰極の電流放出特性山梨遼太郎; 根尾陽一郎; 三村秀典; 大野輝昭20162016, vol.116, no.268
層間反強磁性Cr（001）を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化宮崎健人; 阪井那央哉; 永井滋一; 岩田達夫; 梶原和夫; 畑浩一20162016, vol.116, no.268
時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算（第2報）樋口敏春; 佐々木正洋; 山田洋一20162016, vol.116, no.268
NEA-GaAsホトカソードからのパルスビーム診断吉武亮; 光野圭悟; 増澤智昭; 畑中義式; 細田誠; 根尾陽一郎; 三村秀典20162016, vol.116, no.268
ミニマルファブを活用した微小電子源の作製長尾昌善; 村上勝久; 辰巳憲之; クンプアンソマワン; 原史朗; 後藤康仁20162016, vol.116, no.268
グラフェンをゲート電極に用いた平面型電子放出素子村上勝久; 田中駿丞; 長尾昌善; 根本善弘; 竹口雅樹; 藤田淳一20162016, vol.116, no.268
III族酸化物で修飾したW（100）面からの電子放射－Sc酸化物,Pr酸化物,Nd酸化物による仕事関数低下現象川久保貴史; 中根英章20162016, vol.116, no.268
コロジオンに分散させた二酸化パラジウムを貴金属供給源とするナノ電子源の作製浅井泰尊; 熊谷成輝; 村田英一; 六田英治20162016, vol.116, no.268
電界誘起酸素エッチングによるナノ突起エミッタの形成過程の検証若本実; 永井滋一; 岩田達夫; 梶原和夫; 畑浩一20162016, vol.116, no.268
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