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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子信息显示
收藏年代2000～2022



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2016, vol.116, no.162 2016, vol.116, no.174 2016, vol.116, no.280 2016, vol.116, no.299 2016, vol.116, no.354 2016, vol.116, no.430
2016, vol.116, no.442

题名作者出版年年卷期
Development of recombination layer in Perovskite/Microcrystalline Si tandem solar cellsSong Zhang; Yasuaki Yishikawa; Itaru Raifuku; Tiphaine Bourgeteau; Yukiharu Uraoka; Erik Johnson; Martin Foldyna; Yvan Bonnassieux; Pere Roca i Cabarrocas20162016, vol.116, no.354
ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価福嶋大貴; 弓削政博; 木村睦; 松田時宜20162016, vol.116, no.354
新規レアメタルフリーAOS TFTの研究開発梅田鉄馬; 加藤雄太; 西本大樹; 松田時宜; 木村睦20162016, vol.116, no.354
IGZO薄膜素子の磁気抵抗効果に対する電極の影響符川明日香; 野村竜生; 松田時宜; 木村睦20162016, vol.116, no.354
GaSnO膜のHall効果測定今西恒太; 符川明日香; 松田時宜; 木村睦20162016, vol.116, no.354
薄膜生体刺激デバイスのin-vitro実験冨岡圭佑; 三宅康平; 松田時宜; 木村睦20162016, vol.116, no.354
薄膜コイルを用いたワイヤレス電力伝送山本友稀; 三澤慶悟; 松田時宜; 木村睦20162016, vol.116, no.354
金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるデータ保持特性の外部ストレス耐性木下健太郎20162016, vol.116, no.354
第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討森山拓洋; 肥田聡太; 山崎隆浩; 大野隆央; 岸田悟; 木下健太郎20162016, vol.116, no.354
自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTから成るガラス上のCMOSインバータ大澤弘樹; 原明人20162016, vol.116, no.354
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