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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2010, vol.110, no.109 2010, vol.110, no.11 2010, vol.110, no.203 2010, vol.110, no.249 2010, vol.110, no.271 2010, vol.110, no.29
2010, vol.110, no.342 2010, vol.110, no.358 2010, vol.110, no.423 2010, vol.110, no.80

题名作者出版年年卷期
ミリ波高出力GaN-HEMT牧山剛三; 多木俊裕; 岡本直哉; 金村雅仁; 増田哲; 中舎安宏; 常信和清; 今西健治; 原直紀; 尾崎史朗; 中村哲一; 吉川俊英20102010, vol.110, no.271
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈山口敦史; 小島一信20102010, vol.110, no.271
GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価堀祐臣; 原田脩央; 水江千帆子; 橋詰保20102010, vol.110, no.271
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価菊田大悟; 成田哲生; 高橋直子; 片岡恵太; 木本康司; 上杉勉; 加地徹; 杉本雅裕20102010, vol.110, no.271
低転位GaN基板上縦型HFET岡田政也; 斎藤雄; 横山満徳; 中田健; 八重樫誠司; 片山浩二; 上野昌紀; 木山誠; 勝山造; 中村孝夫20102010, vol.110, no.271
GaN自立基板を用いた縦型ダイオード八木修一; 平田祥子; 住田行常; 別所公博; 河合弘治; 松枝敏晴; 碓井彰20102010, vol.110, no.271
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子酒井佑輔; 市川淳規; 江川孝志20102010, vol.110, no.271
多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性大井幸多; 橋詰保20102010, vol.110, no.271
電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光大音隆男; Ryan G. Banal; 片岡研; 船戸充; 川上養一20102010, vol.110, no.271
空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価－SNOMによるEfficiency droop機構の解明橋谷享; 金田昭男; 船戸充; 川上義一20102010, vol.110, no.271
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