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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2024

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2010, vol.110, no.109 2010, vol.110, no.11 2010, vol.110, no.203 2010, vol.110, no.249 2010, vol.110, no.271 2010, vol.110, no.29
2010, vol.110, no.342 2010, vol.110, no.358 2010, vol.110, no.423 2010, vol.110, no.80

题名作者出版年年卷期
Effect of Temperature on the Formation of ZnS Nanostructures and PropertiesMani NAVANEETHAN; Jayaram ARCHANA; K. D. NISHA; Mukkannan ARIVANANDHAN; Suruttaiyaudaiyar PONNUSAMY; Chellamuthu MUTHAMIZHCHELVAN; Yasuhiro HAYAKAWA20102010, vol.110, no.29
Single Photon Detection in Single Dot and Multi Dots Channel Phosphorus-Doped SOI-FETArief UDHIARTO; Daniel MORARU; Ryusuke NAKAMURA; Sakito MIKI; Takeshi MIZUNO; Michiharu TABE20102010, vol.110, no.29
Effect of Gravity on the Growth of Alloy Semiconductor Bulk CrystalsYasuhiro HAYAKAWA; Mukannan ARIVANANDHAN; Govindasamy RAJESH; Tadanobu KOYAMA; Yoshimi MOMOSE; Hisashi MORII; Toru AOKI; Akira TANAKA; Yasunori OKANO; Tetsuo OZAWA; Yuko INATOMI20102010, vol.110, no.29
Charging phenomena of a single electron in P-doped Si SOI-MOSFETsEarfan Hamid; Juli Cha Tarido; Sakito Miki; Daniel Moraru; Takeshi Mizuno; Michiharu Tabe20102010, vol.110, no.29
青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果以西雅章; 加藤卓20102010, vol.110, no.29
Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性永井一弘; ローレンス セルバラージ; 江川孝志20102010, vol.110, no.29
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作田中誠造; 野口健太; 山根啓輔; 出口裕輝; 古川雄三; 岡田浩; 若原昭浩; 米津宏雄20102010, vol.110, no.29
DLTS法によるSi（111）基板上n-GaN中の深い準位の測定渡邉新; 江川孝志20102010, vol.110, no.29
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討近藤正樹; 秦貴幸; 岡田浩; 若原昭浩; 古川雄三; 佐藤真一郎; 大島武20102010, vol.110, no.29
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査中村光宏; 以西雅章20102010, vol.110, no.29
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