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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:可靠性
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2014, vol.114, no.97
2014, vol.114, no.98
题名
作者
出版年
年卷期
RAID-5/6構成のクラウドデータセンタ向けReRAM/TLC NANDフラッシュメモリのハイブリッドストレージ
山沢裕紀; 徳冨司; 田中丸周平; 寧渉洋; 竹内健
2014
2014, vol.114, no.13
ビッグデータ向けMLC/TLCハイブリッドストレージアレイのデータマネジメントと交換手法の提案
蜂谷尚悟; 上口光; 宮地幸祐; 竹内健
2014
2014, vol.114, no.13
SSDを用いたデータベースストレージシステムにおけるアプリケーション層とNANDフラッシュメモリ層の協調設計
宮地幸祐; 孫超; 曽我あゆみ; 竹内健
2014
2014, vol.114, no.13
1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM-6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用
大澤隆; 小池洋紀; 三浦貞彦; 木下啓蔵; 本庄弘明; 池田正二; 羽生貴弘; 大野英男; 遠藤哲郎
2014
2014, vol.114, no.13
全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ
松永翔雲; 崎村昇; 根橋竜介; 杉林直彦; 夏井雅典; 望月明; 遠藤哲郎; 大野英男; 羽生貴弘
2014
2014, vol.114, no.13
0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ
梅木洋平; 柳田晃司; 吉本秀輔; 和泉慎太郎; 吉本雅彦; 川口博; 角田浩司; 杉井寿博
2014
2014, vol.114, no.13
Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作
山本芳樹; 横山秀樹; 山下朋弘; 尾田秀一; 蒲原史朗; 杉井信之; 山口泰男; 水谷朋子; 平本俊郎
2014
2014, vol.114, no.13
7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発
福田寿一; 小原弘治; 堂坂利彰; 武山泰久; 緑川剛; 橋本健二; 脇山一郎; 宮野信治; 北城岳彦
2014
2014, vol.114, no.13
27%動作電力削減と85%リーク削減を実現する2電源SRAM用ビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路
櫛田桂一; 橘文彦; 平林修; 武山泰久; 川澄篤; 鈴木東; 仁木祐介; 静野観榔子; 佐々木慎一; 矢部友章; 畝川康夫
2014
2014, vol.114, no.13
28nmテクノロジを用いた400MHz 4-Parallel 1.6Gsearch/s 80Mb Ternary CAMの設計
新居浩二; 天野照彦; 渡邊直也; 山脇実; 吉永賢司; 和田実邦子; 林勇
2014
2014, vol.114, no.13
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