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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:可靠性
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2015, vol.115, no.88
2015, vol.115, no.9
题名
作者
出版年
年卷期
TFET(トンネルトランジスタ)のコンパクトモデル実装と超低消費電力回路応用検討
田中千加; 外園明; 安達甘奈; 後藤正和; 近藤佳之; 杉崎絵美子; 藤松基彦; 原浩幸; 宮野信治; 櫛田桂一; 川中繁
2015
2015, vol.115, no.190
フィラメント制御による28nm混載メモリ向けReRAM開発
早川幸夫; 姫野敦史; 安原隆太郎; 藤井覚; 伊藤理; 川島良男; 池田雄一郎; 川原昭文; 河合賢; 魏志強; 村岡俊作; 島川一彦; 三河巧; 米田慎一
2015
2015, vol.115, no.190
負性容量による急峻スロープトランジスタ(NCFET)の設計指針
小林正治; 平本俊郎
2015
2015, vol.115, no.190
原子スイッチを用いた不揮発性論理回路(NPL)およびROM
辻幸秀; 白旭; 宮村信; 阪本利司; 多田宗弘; 伴野直樹; 岡本浩一郎; 井口憲幸; 杉井信之; 波田博光
2015
2015, vol.115, no.190
非均等な時間間隔サンプリングされたデータの周波数成分ベクトルを求める演算回路
田中優; 梁維焜; 萩原良昭
2015
2015, vol.115, no.190
低消費電力LSI応用へ向けた高移動度III-V/Ge CMOS技術の最近の進展と課題
入沢寿史; 池田圭司; 上牟田雄一; 小田穣; 手塚勉; 前田辰郎; 太田裕之; 遠藤和彦
2015
2015, vol.115, no.190
16nm FinFETの容量解析と性能·面積検討
岡垣健; 渋谷宏治; 森本薫夫; 塚本康正; 新居清二; 小野沢和徳
2015
2015, vol.115, no.190
低電力混載ReRAM技術
植木誠; 田辺昭; 砂村潤; 成廣充; 上嶋和也; 増崎幸治; 古武直也; 満生彰; 武田晃一; 長谷卓; 林喜宏
2015
2015, vol.115, no.190
再構成可能論理回路の設計と構成素子の見積もり
嘉藤淳紀; 渡辺重佳; 二宮洋; 小林学; 三浦康之
2015
2015, vol.115, no.190
high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS
山本芳樹; 槙山秀樹; 山下朋弘; 尾田秀一; 蒲原史朗; 山口泰男; 杉井信之; 水谷朋子; 小林正治; 平本俊郎
2015
2015, vol.115, no.190
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