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ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:可靠性
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2018, vol.118, no.97
2018, vol.118, no.99
题名
作者
出版年
年卷期
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO_2/GaN界面制御
細井卓治; 山田高寛; 野崎幹人; 高橋言諸; 山田永; 清水三聡; 吉越章隆; 志村考功; 渡部平司
2018
2018, vol.118, no.110
オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
出来真斗; 安藤悠人; 渡邉浩崇; 田中敦之; 久志本真希; 新田州吾; 本田善央; 天野浩
2018
2018, vol.118, no.110
n-GaN 自然酸化膜界面層がAl_2O_3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果
弓削雅津也; 生田目俊秀; 色川芳宏; 大井暁彦; 池田直樹; Liwen Sang; 小出康夫; 大石知司
2018
2018, vol.118, no.110
[依頼講演]反転層チャネルダイヤモンドMOSFET~ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成
松本翼; 加藤宙光; 牧野俊晴; 小倉政彦; 竹内大輔; 猪熊孝夫; 山崎聡; 徳田規夫
2018
2018, vol.118, no.110
ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展
川原田洋; 大井信敬; 畢特; 今西祥一朗; 岩瀧雅幸; 矢部太一; 平岩篤
2018
2018, vol.118, no.110
リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO_2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
松田亮平; 大田晃生; 田岡紀之; 池田弥央; 牧原克典; 清水三聡; 宮﨑誠一
2018
2018, vol.118, no.110
酸素ラジカル照射によるAl_2O_3/SiC MOS界面の改質効果
土井拓馬; 竹内和歌奈; 坂下満男; 田岡紀之; 中塚理; 財満鎭明
2018
2018, vol.118, no.110
第一原理計算による超格子GeTe/Sb_2Te_3相変化メモリの理論的検討
野原弘晶; 白川裕規; 洗平昌晃; 白石賢二
2018
2018, vol.118, no.110
HfO_2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
右田真司; 太田裕之; 鳥海明
2018
2018, vol.118, no.110
X線光電子分光法によるY_2O_3/SiO_2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価
藤村信幸; 大田晃生; 池田弥央; 牧原克典; 宮﨑誠一
2018
2018, vol.118, no.110
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