中国机械工程学会生产工程分会知识服务平台

期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
收藏年代2000～2024



全部

2000 2001 2002 2003 2004 2005
2006 2007 2008 2009 2010 2011
2012 2013 2014 2015 2016 2017
2018 2019 2020 2021 2022 2023
2024

2012, vol.112, no.1 2012, vol.112, no.103 2012, vol.112, no.109 2012, vol.112, no.112 2012, vol.112, no.113 2012, vol.112, no.114
2012, vol.112, no.117 2012, vol.112, no.124 2012, vol.112, no.125 2012, vol.112, no.126 2012, vol.112, no.13 2012, vol.112, no.138
2012, vol.112, no.14 2012, vol.112, no.144 2012, vol.112, no.145 2012, vol.112, no.146 2012, vol.112, no.148 2012, vol.112, no.15
2012, vol.112, no.155 2012, vol.112, no.156 2012, vol.112, no.157 2012, vol.112, no.158 2012, vol.112, no.159 2012, vol.112, no.16
2012, vol.112, no.160 2012, vol.112, no.161 2012, vol.112, no.169 2012, vol.112, no.170 2012, vol.112, no.171 2012, vol.112, no.175
2012, vol.112, no.176 2012, vol.112, no.18 2012, vol.112, no.180 2012, vol.112, no.181 2012, vol.112, no.182 2012, vol.112, no.183
2012, vol.112, no.184 2012, vol.112, no.186 2012, vol.112, no.202 2012, vol.112, no.204 2012, vol.112, no.205 2012, vol.112, no.207
2012, vol.112, no.211 2012, vol.112, no.213 2012, vol.112, no.214 2012, vol.112, no.215 2012, vol.112, no.217 2012, vol.112, no.223
2012, vol.112, no.234 2012, vol.112, no.238 2012, vol.112, no.245 2012, vol.112, no.247 2012, vol.112, no.251 2012, vol.112, no.252
2012, vol.112, no.253 2012, vol.112, no.254 2012, vol.112, no.257 2012, vol.112, no.259 2012, vol.112, no.260 2012, vol.112, no.262
2012, vol.112, no.263 2012, vol.112, no.265 2012, vol.112, no.266 2012, vol.112, no.267 2012, vol.112, no.273 2012, vol.112, no.280
2012, vol.112, no.283 2012, vol.112, no.284 2012, vol.112, no.290 2012, vol.112, no.292 2012, vol.112, no.296 2012, vol.112, no.301
2012, vol.112, no.305 2012, vol.112, no.312 2012, vol.112, no.316 2012, vol.112, no.318 2012, vol.112, no.320 2012, vol.112, no.323
2012, vol.112, no.324 2012, vol.112, no.326 2012, vol.112, no.328 2012, vol.112, no.329 2012, vol.112, no.33 2012, vol.112, no.332
2012, vol.112, no.336 2012, vol.112, no.337 2012, vol.112, no.339 2012, vol.112, no.34 2012, vol.112, no.341 2012, vol.112, no.342
2012, vol.112, no.347 2012, vol.112, no.348 2012, vol.112, no.355 2012, vol.112, no.356 2012, vol.112, no.358 2012, vol.112, no.359
2012, vol.112, no.363 2012, vol.112, no.365 2012, vol.112, no.366 2012, vol.112, no.370 2012, vol.112, no.371 2012, vol.112, no.375
2012, vol.112, no.381 2012, vol.112, no.382 2012, vol.112, no.387 2012, vol.112, no.388 2012, vol.112, no.389 2012, vol.112, no.39
2012, vol.112, no.397 2012, vol.112, no.399 2012, vol.112, no.40 2012, vol.112, no.400 2012, vol.112, no.401 2012, vol.112, no.402
2012, vol.112, no.408 2012, vol.112, no.412 2012, vol.112, no.413 2012, vol.112, no.415 2012, vol.112, no.418 2012, vol.112, no.421
2012, vol.112, no.425 2012, vol.112, no.426 2012, vol.112, no.427 2012, vol.112, no.43 2012, vol.112, no.431 2012, vol.112, no.432
2012, vol.112, no.433 2012, vol.112, no.437 2012, vol.112, no.442 2012, vol.112, no.446 2012, vol.112, no.449 2012, vol.112, no.45
2012, vol.112, no.451 2012, vol.112, no.453 2012, vol.112, no.455 2012, vol.112, no.459 2012, vol.112, no.46 2012, vol.112, no.460
2012, vol.112, no.461 2012, vol.112, no.465 2012, vol.112, no.47 2012, vol.112, no.470 2012, vol.112, no.472 2012, vol.112, no.475
2012, vol.112, no.478 2012, vol.112, no.483 2012, vol.112, no.484 2012, vol.112, no.487 2012, vol.112, no.56 2012, vol.112, no.58
2012, vol.112, no.59 2012, vol.112, no.6 2012, vol.112, no.61 2012, vol.112, no.62 2012, vol.112, no.65 2012, vol.112, no.68
2012, vol.112, no.69 2012, vol.112, no.71 2012, vol.112, no.72 2012, vol.112, no.74 2012, vol.112, no.76 2012, vol.112, no.78
2012, vol.112, no.82 2012, vol.112, no.84 2012, vol.112, no.92 2012, vol.112, no.95 2012, vol.112, no.96 2012, vol.112, no.98
2012, vol.112, no.99

题名作者出版年年卷期
随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法野村勝也; 近藤継男; 石川剛; 川本敦史; 松森唯益; 杉山隆英20122012, vol.112, no.290
2012 SISPADレビュー～量子輸送，新材料，原子·分子モデリング，その他鎌倉良成20122012, vol.112, no.290
高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価－1／f（低周波）から熱雑音（100 MHz超）まで大毛利健治20122012, vol.112, no.290
ランダム·テレグラフ·ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性陳杰智; 平野泉; 辰村光介; 三谷祐一郎20122012, vol.112, no.290
20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価山本真大; 廣木彰; 尹鍾鐵20122012, vol.112, no.290
低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討佐藤大貴; 大村泰久20122012, vol.112, no.290
経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算渡邊龍太; 鎌倉良成20122012, vol.112, no.290
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響KMCとNEGFによる研究森伸也; 植松真司; 三成英樹; ミリニコフゲナディ; 伊藤公平20122012, vol.112, no.290
立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション図師知文; 大毛利健治; 山田啓作; 渡邉孝信20122012, vol.112, no.290
現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション久木田健太郎; 鎌倉良成20122012, vol.112, no.290
12



国家科技图书文献中心  全球文献资源网  京ICP备05055788号-26  京公网安备11010202008970号  机械工业信息研究院 2018-2024