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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
ダイヤモンド半導体/金属界面の電気的特性制御－p型·n型ダイヤモンドの現状と課題松本翼; 加藤宙光; 小倉政彦; 竹内大輔; 牧野俊晴; 大串秀世; 山崎聡20122012, vol.112, no.92
Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動池田弥央; 牧原克典; 宮崎誠一20122012, vol.112, no.92
Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価福嶋太紀; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一20122012, vol.112, no.92
リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製上武央季; 小原孝介; 上沼睦典; 鄭彬; 石河泰明; 山下一郎; 浦岡行治20122012, vol.112, no.92
極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価箕浦佑也; 糟谷篤志; 細井卓治; 志村考功; 渡部平司20122012, vol.112, no.92
Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明柴山茂久; 加藤公彦; 坂下満男; 竹内和歌奈; 田岡紀之; 中塚理; 財満鎮明20122012, vol.112, no.92
TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御村上秀樹; 三嶋健斗; 大田晃生; 橋本邦明; 東清一郎; 宮崎誠一20122012, vol.112, no.92
ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響加藤公彦; 坂下満男; 竹内和歌奈; 田岡紀之; 中塚理; 財満鎮明20122012, vol.112, no.92
TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化細井卓治; 大嶽祐輝; 有村拓晃; 力石薫介; 北野尚武; 志村考功; 渡部平司20122012, vol.112, no.92
第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析飯島郁弥; 澤野憲太郎; 牛尾二郎; 丸泉琢也; 白木靖寛20122012, vol.112, no.92
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