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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ笹子佳孝; 木下勝治; 峯邑浩行; 安齋由美子; 田井光春; 黒土健三; 森田精一; 高橋俊和; 高濱高; 森本忠雄; 峰利之; 島明生; 小林孝20112011, vol.111, no.281
電気回路シミュレータによるMEMSアクチュエータ·センサの等価回路モデル年吉洋20112011, vol.111, no.281
デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解東悠介; 百々信幸; 百瀬寿代; 大黒達也; 松澤一也20112011, vol.111, no.281
STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション福田浩一; 西澤正泰; 多田哲也; Leonid Bolotov; 鈴木腕; 佐藤成生; 有本宏; 金山敏彦20112011, vol.111, no.281
モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフオノン輸送シミュレーション久木田健太郎; 鎌倉良成20112011, vol.111, no.281
第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較滝口直也; 木場隼介; 土屋英昭; 小川真人20112011, vol.111, no.281
摂動法的な弾道·準弾道円筒形GAA-MOSFET解析簡易モデルにおける回路シミュレーション程賀; 宇野重康; 沼田達宏; 中里和郎20112011, vol.111, no.281
非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上：EMC-MDシミュレーションによる検討神岡武文; 今井裕也; 大毛利健治; 白石賢二; 鎌倉良成; 渡邉孝信20112011, vol.111, no.281
車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題石間伏寿; 植田賢志; 長尾勝; 濱田公守20112011, vol.111, no.281
BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討宮地幸祐; 洪慶麟; 竹内健20112011, vol.111, no.281
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