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期刊

ISSN	0913-5685
刊名	電子情報通信学会技術研究報告
参考译名	电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
收藏年代	2000～2023

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题名	作者	出版年	年卷期
トライゲートナノワイヤMOSETにおける自己発熱効果の系統的理解	太田健介; 齋藤真澄; 田中千加; 中林幸雄; 沼田敏典	2011	2011, vol.111, no.422
超低消費電力LSI向けのSiN電荷捕獲層を有する新型V_(TH)自己調整MISFET	辰村光介; 川澄篤; 川中繁	2011	2011, vol.111, no.422
引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_(1-x)As MOSFETの移動度向上とその物理的理解	金相賢; 横山正史; 田岡紀之; 中根了昌; 安田哲二; 山田永; 福原昇; 秦雅彦; 竹中充; 高木信一	2011	2011, vol.111, no.422
原子スイッチの現状と将来－新しいエレクトロニクスの創成を目指して	青野正和; 長谷川剛	2011	2011, vol.111, no.422
物理モデルに基づく高信頼性ReRAMの開発	魏志強; 高木剛	2011	2011, vol.111, no.422
光学モバイル用途に優れたSOQ（シリコン·オン·クォーツ）デバイス	永田敏雄; 金丸浩; 池上正美; 長友良樹; 半田正人; 中村里克; 内堀邦彦	2011	2011, vol.111, no.422
High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性	濱口雅史; D. Nair; D. Jaeger; 西村尚志; W. Li; M.-H. Na; C. Bernicot; J. Liang; K. Stahrenberg; K. Kim; M. Eller; K-C. Lee; T. Iwamoto; Y.-W. Teh; 森貞之; 高須靖夫; JH Park; L. Song; N.-S. Kim; S. Kohler; H. Kothari; J.-P. Han; S. Miyake; H. V. Meer	2011	2011, vol.111, no.422
低電圧·極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価	更田裕司; 安福正; 高宮真; 野村昌弘; 篠原尋史; 桜井貴康	2011	2011, vol.111, no.422
超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング	藤田和司; 鳥居泰伸; 堀充明; 王純志; L. Shifren; P. Ranade; 中川雅樹; 岡部堅一; 三宅利紀; 大越克明; 蔵前正樹; 森年史; 鶴田智也; S. Thompson; 江間泰示	2011	2011, vol.111, no.422
100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき	水谷朋子; Anil Kumar; 平本俊郎	2011	2011, vol.111, no.422