中国机械工程学会生产工程分会知识服务平台 | sc.gmachineinfo.com

期刊

ISSN	0913-5685
刊名	電子情報通信学会技術研究報告
参考译名	电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
收藏年代	2000～2024

全部

2000	2001	2002	2003	2004	2005
2006	2007	2008	2009	2010	2011
2012	2013	2014	2015	2016	2017
2018	2019	2020	2021	2022	2023
2024

2011, vol.111, no.102	2011, vol.111, no.103	2011, vol.111, no.106	2011, vol.111, no.108	2011, vol.111, no.109	2011, vol.111, no.111
2011, vol.111, no.112	2011, vol.111, no.114	2011, vol.111, no.123	2011, vol.111, no.130	2011, vol.111, no.136	2011, vol.111, no.138
2011, vol.111, no.14	2011, vol.111, no.142	2011, vol.111, no.147	2011, vol.111, no.148	2011, vol.111, no.149	2011, vol.111, no.15
2011, vol.111, no.150	2011, vol.111, no.151	2011, vol.111, no.155	2011, vol.111, no.158	2011, vol.111, no.16	2011, vol.111, no.160
2011, vol.111, no.165	2011, vol.111, no.170	2011, vol.111, no.174	2011, vol.111, no.175	2011, vol.111, no.176	2011, vol.111, no.183
2011, vol.111, no.184	2011, vol.111, no.185	2011, vol.111, no.186	2011, vol.111, no.187	2011, vol.111, no.188	2011, vol.111, no.190
2011, vol.111, no.191	2011, vol.111, no.192	2011, vol.111, no.201	2011, vol.111, no.204	2011, vol.111, no.206	2011, vol.111, no.21
2011, vol.111, no.210	2011, vol.111, no.214	2011, vol.111, no.215	2011, vol.111, no.216	2011, vol.111, no.219	2011, vol.111, no.22
2011, vol.111, no.220	2011, vol.111, no.224	2011, vol.111, no.226	2011, vol.111, no.227	2011, vol.111, no.230	2011, vol.111, no.242
2011, vol.111, no.243	2011, vol.111, no.249	2011, vol.111, no.250	2011, vol.111, no.253	2011, vol.111, no.254	2011, vol.111, no.258
2011, vol.111, no.26	2011, vol.111, no.264	2011, vol.111, no.266	2011, vol.111, no.267	2011, vol.111, no.270	2011, vol.111, no.271
2011, vol.111, no.272	2011, vol.111, no.276	2011, vol.111, no.281	2011, vol.111, no.283	2011, vol.111, no.285	2011, vol.111, no.291
2011, vol.111, no.292	2011, vol.111, no.293	2011, vol.111, no.299	2011, vol.111, no.3	2011, vol.111, no.303	2011, vol.111, no.304
2011, vol.111, no.306	2011, vol.111, no.311	2011, vol.111, no.313	2011, vol.111, no.318	2011, vol.111, no.320	2011, vol.111, no.324
2011, vol.111, no.326	2011, vol.111, no.327	2011, vol.111, no.329	2011, vol.111, no.33	2011, vol.111, no.333	2011, vol.111, no.337
2011, vol.111, no.339	2011, vol.111, no.34	2011, vol.111, no.341	2011, vol.111, no.342	2011, vol.111, no.35	2011, vol.111, no.351
2011, vol.111, no.352	2011, vol.111, no.354	2011, vol.111, no.356	2011, vol.111, no.357	2011, vol.111, no.358	2011, vol.111, no.359
2011, vol.111, no.37	2011, vol.111, no.370	2011, vol.111, no.374	2011, vol.111, no.377	2011, vol.111, no.388	2011, vol.111, no.390
2011, vol.111, no.391	2011, vol.111, no.393	2011, vol.111, no.395	2011, vol.111, no.397	2011, vol.111, no.4	2011, vol.111, no.40
2011, vol.111, no.401	2011, vol.111, no.402	2011, vol.111, no.413	2011, vol.111, no.414	2011, vol.111, no.415	2011, vol.111, no.416
2011, vol.111, no.418	2011, vol.111, no.422	2011, vol.111, no.424	2011, vol.111, no.426	2011, vol.111, no.428	2011, vol.111, no.432
2011, vol.111, no.434	2011, vol.111, no.438	2011, vol.111, no.439	2011, vol.111, no.441	2011, vol.111, no.443	2011, vol.111, no.449
2011, vol.111, no.45	2011, vol.111, no.454	2011, vol.111, no.455	2011, vol.111, no.458	2011, vol.111, no.459	2011, vol.111, no.46
2011, vol.111, no.464	2011, vol.111, no.465	2011, vol.111, no.490	2011, vol.111, no.497	2011, vol.111, no.498	2011, vol.111, no.500
2011, vol.111, no.51	2011, vol.111, no.55	2011, vol.111, no.56	2011, vol.111, no.58	2011, vol.111, no.59	2011, vol.111, no.6
2011, vol.111, no.60	2011, vol.111, no.61	2011, vol.111, no.62	2011, vol.111, no.63	2011, vol.111, no.65	2011, vol.111, no.66
2011, vol.111, no.78	2011, vol.111, no.83	2011, vol.111, no.88	2011, vol.111, no.89	2011, vol.111, no.95	2011, vol.111, no.98

题名	作者	出版年	年卷期
トライゲートナノワイヤMOSETにおける自己発熱効果の系統的理解	太田健介; 齋藤真澄; 田中千加; 中林幸雄; 沼田敏典	2011	2011, vol.111, no.422
超低消費電力LSI向けのSiN電荷捕獲層を有する新型V_(TH)自己調整MISFET	辰村光介; 川澄篤; 川中繁	2011	2011, vol.111, no.422
引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_(1-x)As MOSFETの移動度向上とその物理的理解	金相賢; 横山正史; 田岡紀之; 中根了昌; 安田哲二; 山田永; 福原昇; 秦雅彦; 竹中充; 高木信一	2011	2011, vol.111, no.422
原子スイッチの現状と将来－新しいエレクトロニクスの創成を目指して	青野正和; 長谷川剛	2011	2011, vol.111, no.422
物理モデルに基づく高信頼性ReRAMの開発	魏志強; 高木剛	2011	2011, vol.111, no.422
光学モバイル用途に優れたSOQ（シリコン·オン·クォーツ）デバイス	永田敏雄; 金丸浩; 池上正美; 長友良樹; 半田正人; 中村里克; 内堀邦彦	2011	2011, vol.111, no.422
High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性	濱口雅史; D. Nair; D. Jaeger; 西村尚志; W. Li; M.-H. Na; C. Bernicot; J. Liang; K. Stahrenberg; K. Kim; M. Eller; K-C. Lee; T. Iwamoto; Y.-W. Teh; 森貞之; 高須靖夫; JH Park; L. Song; N.-S. Kim; S. Kohler; H. Kothari; J.-P. Han; S. Miyake; H. V. Meer	2011	2011, vol.111, no.422
低電圧·極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価	更田裕司; 安福正; 高宮真; 野村昌弘; 篠原尋史; 桜井貴康	2011	2011, vol.111, no.422
超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング	藤田和司; 鳥居泰伸; 堀充明; 王純志; L. Shifren; P. Ranade; 中川雅樹; 岡部堅一; 三宅利紀; 大越克明; 蔵前正樹; 森年史; 鶴田智也; S. Thompson; 江間泰示	2011	2011, vol.111, no.422
100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき	水谷朋子; Anil Kumar; 平本俊郎	2011	2011, vol.111, no.422