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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:可靠性
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2019, vol.119, no.472
2019, vol.119, no.473
2019, vol.119, no.474
2019, vol.119, no.478
2019, vol.119, no.484
2019, vol.119, no.54
2019, vol.119, no.63
2019, vol.119, no.71
2019, vol.119, no.78
2019, vol.119, no.82
2019, vol.119, no.84
2019, vol.119, no.86
2019, vol.119, no.87
2019, vol.119, no.96
题名
作者
出版年
年卷期
ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査
山本燎; 加納寛人; 中村篤志; 居波渉
2019
2019, vol.119, no.303
ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性
大橋紘誠; 藤原健八; 山本幹大; 原和彦; 酒井優; 光野徹也
2019
2019, vol.119, no.303
化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性
濱本昂大; 寺迫智昭; 矢木正和; 古林寛; 山本哲也
2019
2019, vol.119, no.303
化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性
寺迫智昭; 濱本昂大; 山田健太; 甲田真一朗; 矢木正和; 古林寛; 山本哲也
2019
2019, vol.119, no.303
電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善
安部功二; 大竹徳人
2019
2019, vol.119, no.303
β-Ga_2O_3 SBDを利用したRF-DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性
橋川誠; 浦田幸佑; 竹ノ畑拓海; 大石敏之; 大島孝仁
2019
2019, vol.119, no.303
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
加藤大望; 梶原瑛祐; 向井章; 大野浩志; 新留彩; 田島純平; 彦坂年輝; 蔵口雅彦; 布上真也
2019
2019, vol.119, no.303
ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価
山田真嗣; 櫻井秀樹; 長田大和; 中村敏幸; 上村隆一郎; 須田淳; 加地徹
2019
2019, vol.119, no.303
ALDにより成膜したSiO_2/Al_2O_3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
横井駿一; 古岡啓太; 久保俊晴; 江川孝志
2019
2019, vol.119, no.303
両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価
松久快生; 小林佑斗; 石原弘基; 杉浦真子; 杉田篤史; 井上翼; 中野貴之
2019
2019, vol.119, no.303
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