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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
A 65nm Bistable Cross-coupled Dual Modular Redundancy Flip-Flop Capable of Protecting Soft Errors on the C-elementJun FURUTA; Chikara HAMANAKA; Kazutoshi KOBAYASHI; Hidetoshi ONODERA20102010, vol.110, no.183
A 2.7mW 4th-Order Active G_m-RC Bandpass Filter with 60MHz Center Frequency and Digital/Analog Tuning TechniquesJingbo Shi; Takayuki Konishi; Toru Kashimura; Shoichi Masui20102010, vol.110, no.183
光ファイバ給電による広域センサネットワーク田中洋介; 黒川隆志20102010, vol.110, no.183
マイクロエネルギーシステムに向けたMEMS技術め展開鈴木雄二20102010, vol.110, no.183
高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法田中丸周平; 江角淳; 伊東充吉; 李凱; 竹内健20102010, vol.110, no.183
実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発前田展秀; 金永奭; 彦坂吉信; 恵下降; 北田秀樹; 藤本興冶; 水島賢子; 鈴木浩助; 中村友二; 川合章仁; 荒井一尚; 大場隆之20102010, vol.110, no.183
ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの検討玉井翔人; 渡辺重佳20102010, vol.110, no.183
NANDチャネル数検出回路·インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60％高速·4.2Gbps·24チャネル、3次元ソリッド·ステート·ドライブ（SSD）畑中輝義; 石田光一; 安福正; 宮本晋示; 中井弘人; 高宮真; 桜井貴康; 竹内健20102010, vol.110, no.183
MEMS/BEANSが可能にするグリーンテクノロジー三木則尚20102010, vol.110, no.183
単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD宮地幸祐; 野田晋司; 畑中輝義; 高橋光恵; 酒井滋樹; 竹内健20102010, vol.110, no.183
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