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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2010, vol.110, no.99

题名作者出版年年卷期
Direct Visualization of Anomalous-Phosphorus Diffusion in Failure-Bit Gates of SRAM-Load pMOSFETs with High-Resolution Scanning Spreading Resistance MicroscopyLi Zhang; Keiryo Hara; Atsuhiro Kinoshita; Tsuneyuki Hashimoto; Youhei Hayase; Michio Kurihara; Daisuke Hagishima; Takayuki Ishikawa; Shiro Takeno20102010, vol.110, no.406
高不純物濃度のETSOI（Extremely-thin SOI）拡散層における移動度の異常な振る舞い角谷直哉; 高橋綱己; 陳君璐; 小寺哲夫; 小田俊理; 内田建20102010, vol.110, no.406
GaN，SiCパワーデバイスの車載応用兼近将一; 上杉勉; 加地徹20102010, vol.110, no.406
DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響宋驍嵬; 鈴木誠; 更屋拓哉; 西田彰男; 角村貴昭; 蒲原史朗; 竹内潔; 稲葉聡; 最上徹; 平本俊郎20102010, vol.110, no.406
酸素の化学ポテンシャルデザインに基づくMONOS型メモリーの原子レベルの設計指針山口慶太; 大竹朗; 神谷克政; 重田育照; 白石賢二20102010, vol.110, no.406
ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調：シリサイドの物理に基づく理論中山隆史; 角嶋邦之; 中塚理; 町田義明; 五月女真一; 松木武雄; 大毛利健治; 岩井洋; 財満鎭明; 知京豊裕; 白石賢二; 山田啓作20102010, vol.110, no.406
Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション李忠賢; 西村知紀; 田畑俊行; 王盛凱; 長汐晃輔; 喜多浩之; 鳥海明20102010, vol.110, no.406
直径10nmナノワイヤCMOSにおけるキャリア輸送に関する研究舘喜一; Mikael Casse; Sylvain Barraud; Cecilia Dupre; Alexandre Hubert; Nathalie Vulliet; Marie-Emmanuelle Faivre; Christian Vizioz; Catherine Carabasse; Vincent Delaye; Jean-Michel Hartmann; 岩井洋; Sorin Cristoloveanu; Olivier Faynot20102010, vol.110, no.406
Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース·ドレインIn_xGa_(1-x)As MOSFETs金相賢; 横山正史; 田岡紀之; 飯田亮; 李成薫; 中根了昌; 卜部友二; 宮田典幸; 安田哲二; 山田永; 福原昇; 秦雅彦; 竹中充; 高木信一20102010, vol.110, no.406
トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique（SMT）による性能向上齋藤真澄; 中林幸雄; 太田健介; 内田建; 沼田敏典20102010, vol.110, no.406
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