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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2010, vol.110, no.99

题名作者出版年年卷期
SiナノワイヤMOSFETのコンパクト·モデル－バリスティックおよび準バリスティック輸送名取研二20102010, vol.110, no.90
原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤ トランジスタの開発右田真司; 森田行則; 太田裕之20102010, vol.110, no.90
キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析佐藤創志; 角嶋邦之; 大毛利健治; 名取研二; 岩井洋; 山田啓作20102010, vol.110, no.90
SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討茂森直登; 佐藤創志; 角嶋邦之; パールハットアヘメト; 筒井一生; 西山彰; 杉井信之; 名取研二; 服部健雄; 岩井洋20102010, vol.110, no.90
金属／Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調：第一原理計算による化学的傾向の検討小日向恭祐; 丸田勇亮; 中山隆史20102010, vol.110, no.90
Ge MISおよびGe／Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価藤岡知宏; 板東竜也; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一20102010, vol.110, no.90
分子軌道法によるGe（100）表面終端元素の検討Dong Hun LEE; 金島岳; 奥山雅則20102010, vol.110, no.90
原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性古田和也; 竹内和歌奈; 坂下満男; 近藤博基; 中塚理; 財満鎮明20102010, vol.110, no.90
EOT＝0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討来山大祐; 小柳友常; 角嶋邦之; Parhat Ahmet; 筒井一生; 西山彰; 杉井信之; 名取研二; 服部健雄; 岩井洋20102010, vol.110, no.90
High-k／III-V界面の組成·構造とMIS特性との関係安田哲二; 宮田典幸; 卜部友二; 石井裕之; 板谷太郎; 前田辰郎; 山田永; 福原昇; 秦雅彦; 大竹晃浩; 星井拓也; 横山正史; 竹中充; 高木信一20102010, vol.110, no.90
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