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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2010, vol.110, no.99

题名作者出版年年卷期
Digital Rosetta Stone: A Sealed Permanent Memory with Inductive-Coupling Power and Data LinkYuxiang YUAN; Noriyuki MIURA; Shigeki IMAI; Hiroyuki OCHIA; Tadahiro KURODA20102010, vol.110, no.9
負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM藪内誠; 新居浩二; 塚本康正; 中瀬泰伸; 篠原尋史20102010, vol.110, no.9
SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm~2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM藤村勇樹; 平林修; 佐々木貴彦; 鈴木東; 川澄篤; 武山泰久; 櫛田桂一; 深野剛; 片山明; 仁木祐介; 矢部友章20102010, vol.110, no.9
回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現～非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発新居浩二; 薮内誠; 塚本康正; 平野有一; 岩松俊明; 木原雄治20102010, vol.110, no.9
しきい値電圧自己調整機能による60％スタティック·ノイズ·マージン（SNM）増加,32％アクティブ電力削減,42％リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM田中丸周平; 畑中輝義; 矢島亮児; 高橋光恵; 酒井滋樹; 竹内健20102010, vol.110, no.9
直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM小松成亘; 山岡雅直; 森元薫夫; 前田徳章; 島崎靖久; 長田健一20102010, vol.110, no.9
非接触メモリカードのための2.5Gb／s／ch 4PAM誘導結合送受信機竹康宏; 川井秀介; 石黒仁揮; 黒田忠広20102010, vol.110, no.9
65nm CMOS GPU-0.1μm DRAM間8Tb／s 1pJ／b 0.8mm~2／Tb／s QDR誘導結合インタフェース三浦典之; 春日一貴; 齊藤美都子; 黒田忠広20102010, vol.110, no.9
積層型NOR MRAMの検討玉井翔人; 渡辺重佳20102010, vol.110, no.9
2Gb／s 1.8pJ/b/chip 128NANDフラッシュメモリチップ積層用誘導結合インタフェース齊藤美都子; 三浦典之; 黒田忠広20102010, vol.110, no.9
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