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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:可靠性
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2013, vol.113, no.82
2013, vol.113, no.87
2013, vol.113, no.96
2013, vol.113, no.97
2013, vol.113, no.99
题名
作者
出版年
年卷期
Impacts of Channel Doping on Random Telegraph Signal Noise and Successful Noise Suppression by Mobility Enhancement
J. Chen; Y. Higashi; I. Hirano; Y. Mitani
2013
2013, vol.113, no.296
2013 SISPADレビュー~輸送,信頼性
森伸也
2013
2013, vol.113, no.296
低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション
金村貴永; 加藤弘一; 谷本弘吉; 青木伸俊; 豊島義明
2013
2013, vol.113, no.296
窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響
園田賢一郎; 佃栄次; 谷沢元昭; 石川清志; 山口泰男
2013
2013, vol.113, no.296
シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析
齋藤真澄; 太田健介; 田中千加; 沼田敏典
2013
2013, vol.113, no.296
量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション
鍾菁廣; 小田中紳二
2013
2013, vol.113, no.296
シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計
田中千加; 萩島大輔; 内田建; 沼田敏典
2013
2013, vol.113, no.296
DIBL効果を取り入れた弾道·準弾道GAA-MOSFSETのコンパクトモデル
程賀; 宇野重康; 中里和郎
2013
2013, vol.113, no.296
Pt/TiO_2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証
大村泰久; 近藤祐介
2013
2013, vol.113, no.296
Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル
大村泰久; 佐藤大貴; 佐藤伸吾; Abhijit Mallik
2013
2013, vol.113, no.296
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