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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
3D Integrated CMOS Device by Using Wafer Stacking and Via-last TSVMayu AOKI; Futoshi FURUTA; Kazuyuki HOZAWA; Yuko HANAOKA; Kazuyuki HOZAWA; Kenichi TAKEDA20132013, vol.113, no.420
［招待講演］高信頼メタル／high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術水林亘; 鉄田博; 中島良樹; 石川由紀; 松川貴; 遠藤和彦; 柳永勛; 大内真一; 塚田順一; 山内洋美; 右田真司; 森田行則; 太田裕之; 昌原明植20132013, vol.113, no.420
［招待論文］2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱長汐晃輔; 金山薫; 西相知紀; 鳥海明20132013, vol.113, no.420
Si上III-V族化合物半導体ナノワイヤの集積：高性能縦型FETと低電圧トランジスタ応用冨岡克広; 福井孝志20132013, vol.113, no.420
不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望湯浅新治; 福島章雄; 薬師寺啓; 野崎隆行; 甲野藤真; 前原大樹; 久保田均; 谷口知大; 荒井礼子; 今村裕志; 安藤功兒; 塩田陽一; Frederic Bonnel; 鈴木義茂; 下村尚治20132013, vol.113, no.420
［招待講演］適応的コンピューティングシステムのための容量可変不揮発メモリアレイ野口紘希; 武田進; 野村久美子; 安部恵子; 池上一隆; 北川英二; 下村尚治; 伊藤順一; 藤田忍20132013, vol.113, no.420
［招待講演］110億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析水谷朋子; Anil Kumar; 平本俊郎20132013, vol.113, no.420
P／N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらっき抑制横山秀樹; 山本芳樹; 篠原博文; 岩松俊明; 尾田秀一; 杉井信之; 石橋孝一郎; 水谷朋子; 平本俊郎; 山口泰男20132013, vol.113, no.420
［招待講演］強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET金相賢; 横山正史; 中根了昌; 市川摩; 長田剛規; 秦雅彦; 竹中充; 高木信一20132013, vol.113, no.420
［招待講演］1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造篠原武一; 渡辺一吏; 太田和伸; 中山創; 森川隆史; 大野圭一; 杉本大; 門村新吾; 平山照峰20132013, vol.113, no.420
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