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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価中澤成哉; 南園悠一郎; 須田淳; 木本恒暢20132013, vol.113, no.351
三フッ化塩素（ClF_3）を用いた炭化珪素（SiC）表面の形状変化堀良太; 畑山智亮; 矢野裕司; 冬木隆20132013, vol.113, no.351
多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ大山翔平; 松村篤; 門目尭之; 田中匠; 松田時宜; 木村睦20132013, vol.113, no.351
パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析木瀬香保利; 苫井重和; 上岡義弘; 山崎はるか; 浦川哲; 矢野公規; Dapeng Wang; 古田守; 堀田昌宏; 石河泰明; 浦岡行治20132013, vol.113, no.351
インジウムを介したVapor-Liquid-Solid 機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価福永圭吾; 畑山智亮; 矢野裕司; 岡本尚文; 谷あゆみ; 石河泰明; 冬木隆20132013, vol.113, no.351
キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池若宮翔太; 小林孝裕; 松尾直人; 部家彰20132013, vol.113, no.351
レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製山本悠貴; 西村英紀; 岡村隆徳; 福永圭吾; 冬木隆20132013, vol.113, no.351
リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製岡村隆徳; 西村英紀; 冬木隆; 富澤由香; 池田吉紀20132013, vol.113, no.351
Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発井上雅志; 松田時宜; 木村睦20132013, vol.113, no.351
スパッタリングより形成したAl_2O_3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT目黒達也; 原明人20132013, vol.113, no.351
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