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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
GaN Photodetector with Nanostructure on SurfaceJing ZHANG; Yoshiki NAOI; Shiro SAKAI; Atsuyuki FUKANO; Satoru TANAKA20092009, vol.109, no.289
Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極今井章文; 南條拓真; 吹田宗義; 阿部雄次; 柳生栄治; 蔵田哲之20092009, vol.109, no.289
AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成渡邊史直; 矢船憲成; 永森基; 近岡大成; 作野圭一; 葛原正明20092009, vol.109, no.289
高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位菅原克也; 久保俊晴; 武富浩幸; 三宅秀人; 平松和政; 橋詰保20092009, vol.109, no.289
AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード吉田治正; 桑原正和; 山下陽滋; 高木康文; 内山和也; 菅博文20092009, vol.109, no.289
GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析永田賢昌; 飯田大輔; 永松謙太郎; 竹田健一郎; 松原哲也; 岩谷素顕; 上山智; 天野浩; 赤﨑勇20092009, vol.109, no.289
InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて－発光素子から太陽電池への展開草部一秀; 石谷善博; 吉川明彦20092009, vol.109, no.289
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化永田賢吾; 市川友紀; 竹田健一郎; 永松謙太郎; 岩谷素顕; 上山智; 天野浩; 赤﨑勇20092009, vol.109, no.289
Ga_xIn_(1-x)As多結晶薄膜の電気的光学的特性鳥居義親; 奥迫拓也; 高見慎也; 梶川靖友20092009, vol.109, no.289
ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作本田徹; 野崎理; 坂井直之; 野口和之20092009, vol.109, no.289
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