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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
Correlation between Low-Field Mobility and High-Field Carrier Velocity in Quasi-Ballistic-Transport MISFETs scaled down to L_g=30 nmKosuke Tatsumura; Masakazu Goto; Shigeru Kawanaka; Atsuhiro Kinoshita20092009, vol.109, no.408
3D Heterogeneous Opto-Electronic Integration Technology for System-on-SiliconKangwook LEE; Akihiro NORIKI; Kouji KIYOYAMA; Takafumi FUKUSHIMA; Tetsu TANAKA; Mitsumasa KOYANAGI20092009, vol.109, no.408
強磁場印加による（110）pMOSFETサブバンド構造の直接的観測高橋綱己; 山端元音; 小木純; 小寺哲夫; 小田俊理; 内田建20092009, vol.109, no.408
第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用石原貴光; 松下大介; 加藤弘一20092009, vol.109, no.408
GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上－Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証李忠賢; 西村知紀; 長汐晃輔; 喜多浩之; 鳥海明20092009, vol.109, no.408
セルフアセンブリを基盤としたウェーハレベル三次元集積化技術福島誉史; 李康旭; 田中徹; 小柳光正20092009, vol.109, no.408
ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用南雲俊治; 竹内潔; 横川慎二; 今井清隆; 林喜宏20092009, vol.109, no.408
走査型拡がり抵抗顕微鏡（SSM）を用いたソース·ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析張利; 齋藤真澄; 木下敦寛; 安武信昭; 外園明; 青木伸俊; 楠直樹; 水島一郎; 小池三夫; 竹野史郎; 古賀淳二20092009, vol.109, no.408
レイアウト依存性を考慮したコンパクトモデルの開発相川恒; 佐貫朋也; 坂田明雄; 森藤英治; 吉村尚郎; 浅見哲也; 大谷寛; 親松尚人20092009, vol.109, no.408
0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60％スタティック·ノイズ·マージン増加,32％アクティブ電力削減,42％リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM田中丸周平; 畑中輝義; 矢島亮児; 高橋光恵; 酒井滋樹; 竹内健20092009, vol.109, no.408
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