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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式秋山悟; 関口知紀; 竹村理一郎; 小田部晃; 伊藤清男20092009, vol.109, no.2
MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発杉林直彦; 根橋竜介; 崎村昇; 本庄弘明; 斉藤信作; 伊藤雄一; 三浦貞彦; 加藤有光; 森馨; 尾崎康亮; 小林洋介; 大嶋則和; 木下啓蔵; 鈴木哲広; 永原聖万20092009, vol.109, no.2
レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm~2セル2電源SRAM藤村勇樹; 平林修; 川澄篤; 鈴木東; 武山泰久; 櫛田桂一; 佐々木貴彦; 片山明; 深野剛; 中里高明; 志津木康; 串山夏樹; 矢部友章20092009, vol.109, no.2
カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM吉本秀輔; 井口友輔; 奥村俊介; 藤原英弘; 野口紘希; 新居浩二; 川口博; 吉本雅彦20092009, vol.109, no.2
7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造奥村俊介; 藤原英弘; 井口友輔; 野口紘希; 川口博; 吉本雅彦20092009, vol.109, no.2
NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm~2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ二山拓也; 藤田憲浩; 常盤直哉; 進藤佳彦; 枝広俊昭; 亀井輝彦; 那須弘明; 岩井信; 加藤光司; 福田康之; 金川直晃; 安彦尚文; 松本雅英; 姫野敏彦; 橋本寿文20092009, vol.109, no.2
三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧（20V）生成回路安福正; 石田光一; 宮本晋示; 中井弘人; 高宮真; 桜井貴康; 竹内健20092009, vol.109, no.2
積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計方法の検討菅野孝一; 渡辺重佳20092009, vol.109, no.2
スピントランジスタを用いた積層型NANAD MRAMの設計法の検討玉井翔人; 渡辺重佳20092009, vol.109, no.2
FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM滋賀秀裕; 高島大三郎; 白武慎一郎; 穂谷克彦; 宮川正; 荻原隆; 福田良; 滝澤亮介; 初田幸輔; 松岡史宜; 長冨靖; 橋本大輔; 西村久明; 日岡健; 堂前須弥子20092009, vol.109, no.2
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