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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2009, vol.109, no.98

题名作者出版年年卷期
GaN Photodetector with Nanostructure on SurfaceJing ZHANG; Yoshiki NAOI; Shiro SAKAI; Atsuyuki FUKANO; Satoru TANAKA20092009, vol.109, no.290
MgドープGaN表面特性のアニールによる変化小川恵理; 橋詰保20092009, vol.109, no.290
ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析黒田健太郎; 井川裕介; 光山健太; 敖金平; 大野泰夫20092009, vol.109, no.290
4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価市村幹也; 三好実人; 田中光浩; 江川孝志20092009, vol.109, no.290
4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長矢野良樹; 池永和正; 徳永裕樹; 山本淳; 田渕俊也; 内山康右; 山口晃; 福田靖; 生方映徳; 原田康博; 伴雄三郎; 松本功; 山崎利明20092009, vol.109, no.290
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長原航平; 直井美貴; 酒井士郎20092009, vol.109, no.290
周期溝加工AlN／サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長藤田浩平; 奥浦一輝; 三宅秀人; 平松和政; 乗松潤; 平山秀樹20092009, vol.109, no.290
Si基板上GaN-HEMTによる5GHz 50W出力電力特性星真一; 伊藤正紀; 丸井俊治; 大来英之; 森野芳昭; 玉井功; 戸田典彦; 関昇平; 江川孝志20092009, vol.109, no.290
高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位菅原克也; 久保俊晴; 武富浩幸; 三宅秀人; 平松和政; 橋詰保20092009, vol.109, no.290
近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング橋谷享; 金田昭男; 船戸充; 川上養一20092009, vol.109, no.290
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